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2SA193 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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2SA1930(Q,M)詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP 180V 2A TO220NIS
系列:-
制造商:Toshiba
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):2A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):180V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1V @ 100mA,1A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 100mA,5V
功率_最大:2W
頻率_轉換:200MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3 整包
供應商設備封裝:TO-220NIS
包裝:管件

2SA1931,Q(M詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP 50V 5A TO220NIS
系列:-
制造商:Toshiba
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):5A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):400mV @ 200mA,2A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 1A,1V
功率_最大:2W
頻率_轉換:60MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3 整包
供應商設備封裝:TO-220NIS
包裝:管件

2SA1932(TP,Q)詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR PNP 230V 1A TPL
系列:-
制造商:Toshiba
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):1A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):230V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.5V @ 50mA,500mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 100mA,5V
功率_最大:1.8W
頻率_轉換:70MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3(SMT)標片
供應商設備封裝:TPL
包裝:帶盒(TB)

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