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2SA93 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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2SA933ASTPQ詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR PNP 50V 0.15A SPT
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):150mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 5mA,50mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:120 @ 1mA,6V
功率_最大:300mW
頻率_轉換:140MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:SC-72 成形引線
供應商設備封裝:SPT
包裝:剪切帶 (CT)

2SA933ASTPQ詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR PNP 50V 0.15A SPT
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):150mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 5mA,50mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:120 @ 1mA,6V
功率_最大:300mW
頻率_轉換:140MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:SC-72 成形引線
供應商設備封裝:SPT
包裝:帶盒(TB)

2SA933ASTPR詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR PNP 50V 0.15A SPT
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):150mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 5mA,50mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:180 @ 1mA,6V
功率_最大:300mW
頻率_轉換:140MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:SC-72 成形引線
供應商設備封裝:SPT
包裝:帶盒(TB)

2SA933ASTPR詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR PNP 50V 0.15A SPT
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):150mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 5mA,50mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:180 @ 1mA,6V
功率_最大:300mW
頻率_轉換:140MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:SC-72 成形引線
供應商設備封裝:SPT
包裝:剪切帶 (CT)

2SA933ASTPS詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR PNP 50V 0.15A SPT
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):150mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 5mA,50mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:270 @ 1mA,6V
功率_最大:300mW
頻率_轉換:140MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:SC-72 成形引線
供應商設備封裝:SPT
包裝:剪切帶 (CT)

2SA933ASTPS詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR PNP 50V 0.15A SPT
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):150mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 5mA,50mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:270 @ 1mA,6V
功率_最大:300mW
頻率_轉換:140MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:SC-72 成形引線
供應商設備封裝:SPT
包裝:帶盒(TB)

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