91精品一区二区三区久久久久久_欧美一级特黄大片色_欧美一区二区人人喊爽_精品一区二区三区av

添加收藏夾 設為首頁 深圳服務熱線:13751165337  13692101218 網站地圖|企業名錄|IC詳細資料|熱門庫存|Pdf資料

51電子網Log圖片

IC供應PDF資料非IC供應

51電子網聯系電話:13751165337

當前位置:網站首頁 » 庫存索引51 » 型號"2SB1188T"的供應信息

2SB1188T 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
按地區:全部 | 廣東 | 深圳 | 汕頭 | 上海 | 北京 | 浙江 | 陜西 | 山東 | 江蘇 | 深圳外

2SB1188T100P詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS DVR PNP 32V 2A SOT-89 TR
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):2A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):32V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):800mV @ 200mA,2A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:82 @ 500mA,3V
功率_最大:2W
頻率_轉換:100MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-243AA
供應商設備封裝:MPT3
包裝:帶卷 (TR)

2SB1188T100Q詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR PNP 32V 2A SO-89
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):2A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):32V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):800mV @ 200mA,2A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:120 @ 500mA,3V
功率_最大:2W
頻率_轉換:100MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-243AA
供應商設備封裝:MPT3
包裝:帶卷 (TR)

2SB1188T100Q詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR PNP 32V 2A SO-89
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):2A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):32V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):800mV @ 200mA,2A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:120 @ 500mA,3V
功率_最大:2W
頻率_轉換:100MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-243AA
供應商設備封裝:MPT3
包裝:剪切帶 (CT)

2SB1188T100Q詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR PNP 32V 2A SO-89
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):2A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):32V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):800mV @ 200mA,2A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:120 @ 500mA,3V
功率_最大:2W
頻率_轉換:100MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-243AA
供應商設備封裝:MPT3
包裝:Digi-Reel®

2SB1188T100R詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR PNP 32V 2A SO-89
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):2A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):32V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):800mV @ 200mA,2A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:180 @ 500mA,3V
功率_最大:2W
頻率_轉換:100MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-243AA
供應商設備封裝:MPT3
包裝:Digi-Reel®

2SB1188T100R詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR PNP 32V 2A SO-89
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):2A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):32V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):800mV @ 200mA,2A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:180 @ 500mA,3V
功率_最大:2W
頻率_轉換:100MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-243AA
供應商設備封裝:MPT3
包裝:帶卷 (TR)

2SB1188T供應商

查看更多2SB1188T的供應商
把51電子網設為首頁      把51電子網加入收藏夾
關于我們 | 會員收費標準 | 廣告服務 | 付款方式 | 友情鏈接 | 網站地圖 | 聯系我們 | 免責聲明
庫存上載:service@51dzw.com   
版權所有:51dzw.COM 粵ICP備09112631號-6(miitbeian.gov.cn) 服務熱線(深圳):13751165337 13692101218 傳真:0755-83035052 投訴電話:0755-83030533


 復制成功!
博客| 金平| 桓仁| 临湘市| 吉木萨尔县| 罗江县| 彝良县| 大连市| 多伦县| 西吉县| 麻城市| 济南市| 阿瓦提县| 惠来县| 辽阳市| 庄浪县| 庐江县| 鹿泉市| 仙游县| 奎屯市| 怀仁县| 太仓市| 谷城县| 綦江县| 峨边| 彩票| 洛南县| 鸡泽县| 西贡区| 邯郸县| 革吉县| 洛扎县| 宝丰县| 栾川县| 关岭| 彭泽县| 靖江市| 民丰县| 内黄县| 合水县| 卢湾区|