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2SB121 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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2SB1215S-E詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP BIPO 3A 100V TP
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):3A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):100V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):400mV @ 150mA,1.5A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:140 @ 500mA,5V
功率_最大:1W
頻率_轉換:180MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-251-3 長引線,IPak,TO-251AB
供應商設備封裝:TP
包裝:散裝

2SB1215S-H詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP BIPO 3A 100V TP
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):3A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):100V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):400mV @ 150mA,1.5A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:140 @ 500mA,5V
功率_最大:1W
頻率_轉換:180MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-251-3 長引線,IPak,TO-251AB
供應商設備封裝:TP
包裝:散裝

2SB1215S-TL-E詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP BIPO 3A 100V TP-FA
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):3A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):100V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 150mA,1.5A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:70 @ 500mA,5V
功率_最大:1W
頻率_轉換:130MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:2-TP-FA
包裝:帶卷 (TR)

2SB1215S-TL-H詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP BIPO 3A 100V TP-FA
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):3A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):100V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):400mV @ 150mA,1.5A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:140 @ 500mA,5V
功率_最大:1W
頻率_轉換:180MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:TP-FA
包裝:帶卷 (TR)

2SB1215T-E詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP BIPO 3A 100V TP
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):3A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):100V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):400mV @ 150mA,1.5A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:200 @ 500mA,5V
功率_最大:1W
頻率_轉換:180MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-251-3 長引線,IPak,TO-251AB
供應商設備封裝:TP
包裝:散裝

2SB1215T-H詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP BIPO 3A 100V TP
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):3A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):100V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):400mV @ 150mA,1.5A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:200 @ 500mA,5V
功率_最大:1W
頻率_轉換:180MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-251-3 長引線,IPak,TO-251AB
供應商設備封裝:TP
包裝:散裝

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