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2SB1326 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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2SB1326TV2Q詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP 20V 5A ATV
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):5A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):20V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1V @ 100mA,4A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:120 @ 500mA,2V
功率_最大:1W
頻率_轉換:120MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:ATV
供應商設備封裝:ATV
包裝:剪切帶 (CT)

2SB1326TV2Q詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP 20V 5A ATV
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):5A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):20V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1V @ 100mA,4A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:120 @ 500mA,2V
功率_最大:1W
頻率_轉換:120MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:ATV
供應商設備封裝:ATV
包裝:帶盒(TB)

2SB1326TV2R詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP 20V 5A ATV
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):5A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):20V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1V @ 100mA,4A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:180 @ 500mA,2V
功率_最大:1W
頻率_轉換:120MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:ATV
供應商設備封裝:ATV
包裝:剪切帶 (CT)

2SB1326TV2R詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP 20V 5A ATV
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):5A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):20V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1V @ 100mA,4A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:180 @ 500mA,2V
功率_最大:1W
頻率_轉換:120MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:ATV
供應商設備封裝:ATV
包裝:帶盒(TB)

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