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2SC39 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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2SC3902S詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN BIPO 1.5A 160V TO126ML
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):1.5A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):160V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):450mV @ 50mA,500mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 100mA,5V
功率_最大:1.5W
頻率_轉換:120MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3
供應商設備封裝:TO-126ML
包裝:散裝

2SC3902T詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN BIPO 1.5A 160V
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):1.5A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):160V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):450mV @ 50mA,500mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 100mA,5V
功率_最大:1.5W
頻率_轉換:120MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3
供應商設備封裝:TO-126ML
包裝:散裝

2SC3906KT146R詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN 120V 50MA SOT-346
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):50mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):120V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 1mA,10mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:180 @ 2mA,6V
功率_最大:200mW
頻率_轉換:140MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:SMT3
包裝:剪切帶 (CT)

2SC3906KT146R詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN 120V 50MA SOT-346
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):50mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):120V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 1mA,10mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:180 @ 2mA,6V
功率_最大:200mW
頻率_轉換:140MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:SMT3
包裝:帶卷 (TR)

2SC3906KT146R詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN 120V 50MA SOT-346
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):50mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):120V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 1mA,10mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:180 @ 2mA,6V
功率_最大:200mW
頻率_轉換:140MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:SMT3
包裝:Digi-Reel®

2SC3906KT146S詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR NPN 120V 50MA SOT-346
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):50mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):120V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 1mA,10mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:270 @ 2mA,6V
功率_最大:200mW
頻率_轉換:140MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:SMT3
包裝:剪切帶 (CT)

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