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2SC47 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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2SC4713KT146R詳細規格

類別:RF 晶體管 (BJT)
描述:TRANS RF SW 6V 50MA SMT3
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶體管類型:NPN
電壓_集電極發射極擊穿(最大):6V
頻率_轉換:800MHz
噪聲系數(dB典型值0a0頻率):-
增益:-
功率_最大:200mW
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:180 @ 5mA,5V
電流_集電極333Ic444(最大):50mA
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:SMT3
包裝:帶卷 (TR)

2SC4725TLP詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN 20V 50MA SOT-416
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):50mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):20V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 4mA,20mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:82 @ 10mA,10V
功率_最大:150mW
頻率_轉換:1.5GHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-75,SOT-416
供應商設備封裝:EMT3
包裝:剪切帶 (CT)

2SC4725TLP詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN 20V 50MA SOT-416
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):50mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):20V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 4mA,20mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:82 @ 10mA,10V
功率_最大:150mW
頻率_轉換:1.5GHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-75,SOT-416
供應商設備封裝:EMT3
包裝:Digi-Reel®

2SC4725TLP詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN 20V 50MA SOT-416
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):50mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):20V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 4mA,20mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:82 @ 10mA,10V
功率_最大:150mW
頻率_轉換:1.5GHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-75,SOT-416
供應商設備封裝:EMT3
包裝:帶卷 (TR)

2SC4726TLN詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN 11V 50MA SOT-416 TR
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):50mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):11V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 5mA,10mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:56 @ 5mA,10V
功率_最大:150mW
頻率_轉換:3.2GHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-75,SOT-416
供應商設備封裝:EMT3
包裝:帶卷 (TR)

2SC4726TLP詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN 11V 50MA SOT-416
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):50mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):11V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 5mA,10mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:82 @ 5mA,10V
功率_最大:150mW
頻率_轉換:3.2GHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-75,SOT-416
供應商設備封裝:EMT3
包裝:剪切帶 (CT)

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