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2SC609 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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2SC6094-TD-E詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN BIPOLAR 60V 3A PCP
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):3A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):120mV @ 100mA,1A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:300 @ 100mA,2V
功率_最大:1.3W
頻率_轉換:390MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-243AA
供應商設備封裝:PCP
包裝:帶卷 (TR)

2SC6095-TD-E詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN BIPO 2.5A 80V SOT89-3
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):2.5A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):80V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):150mV @ 50mA,1A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:300 @ 100mA,5V
功率_最大:1.3W
頻率_轉換:350MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-243AA
供應商設備封裝:PCP
包裝:帶卷 (TR)

2SC6096-TD-E詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN BIPO 2A 100V SOT89-3
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):2A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):100V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):150mV @ 100mA,1A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:300 @ 100mA,5V
功率_最大:1.3W
頻率_轉換:300MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-243AA
供應商設備封裝:PCP
包裝:帶卷 (TR)

2SC6096-TD-H詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN BIPO 2A 100V SOT89-3
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):2A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):100V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):150mV @ 100mA,1A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:300 @ 100mA,5V
功率_最大:1.3W
頻率_轉換:300MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-243AA
供應商設備封裝:PCP
包裝:帶卷 (TR)

2SC6097-E詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN BIPOLAR 60V 3A TP
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):3A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):135mV @ 100mA,1A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:300 @ 100mA,2V
功率_最大:800mW
頻率_轉換:390MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-251-3 長引線,IPak,TO-251AB
供應商設備封裝:TP
包裝:散裝

2SC6097-TL-E詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN BIPOLAR 60V 3A TP-FA
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):3A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):135mV @ 100mA,1A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:300 @ 100mA,2V
功率_最大:800mW
頻率_轉換:390MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:TP-FA
包裝:帶卷 (TR)

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