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2SD1012 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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2SD1012F-SPA詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN BIPO 700MA 15V SPA
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):700mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):15V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):80mV @ 10mA,100mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:160 @ 50mA,2V
功率_最大:250mW
頻率_轉換:250MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:3-SIP
供應商設備封裝:3-SPA
包裝:散裝

2SD1012F-SPA-AC詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN BIPO 700MA 15V SPA
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):700mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):15V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):80mV @ 10mA,100mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:160 @ 50mA,2V
功率_最大:250mW
頻率_轉換:250MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:3-SIP
供應商設備封裝:3-SPA
包裝:散裝

2SD1012G-SPA詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN BIPO 700MA 15V SPA
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):700mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):15V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):80mV @ 10mA,100mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:280 @ 50mA,2V
功率_最大:250mW
頻率_轉換:250MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:3-SIP
供應商設備封裝:3-SPA
包裝:散裝

2SD1012G-SPA-AC詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN BIPO 700MA 15V SPA
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):700mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):15V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):80mV @ 10mA,100mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:280 @ 50mA,2V
功率_最大:250mW
頻率_轉換:250MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:3-SIP
供應商設備封裝:3-SPA
包裝:帶卷 (TR)

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