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2SD1803 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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2SD1803S-E詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN HI CURRENT SW TP
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):5A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):400mV @ 150mA,3A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:140 @ 500mA,2V
功率_最大:1W
頻率_轉換:180MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA
供應商設備封裝:TP
包裝:散裝

2SD1803S-H詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN BIPO 5A 50V TP
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):5A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):400mV @ 150mA,3A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:140 @ 500mA,2V
功率_最大:1W
頻率_轉換:180MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-251-3 長引線,IPak,TO-251AB
供應商設備封裝:TP
包裝:散裝

2SD1803S-TL-E詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN BIPO 5A 50V TP-FA
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):5A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):400mV @ 150mA,3A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:140 @ 500mA,2V
功率_最大:1W
頻率_轉換:180MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:TP-FA
包裝:帶卷 (TR)

2SD1803S-TL-H詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN BIPO 5A 50V TP-FA
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):5A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):400mV @ 150mA,3A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:140 @ 500mA,2V
功率_最大:1W
頻率_轉換:180MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:TP-FA
包裝:帶卷 (TR)

2SD1803T-E詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN BIPO 5A 50V TP
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):5A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):400mV @ 150mA,3A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:200 @ 500mA,2V
功率_最大:1W
頻率_轉換:180MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-251-3 長引線,IPak,TO-251AB
供應商設備封裝:TP
包裝:散裝

2SD1803T-H詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN BIPO 5A 50V TP
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):5A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):400mV @ 150mA,3A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:200 @ 500mA,2V
功率_最大:1W
頻率_轉換:180MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-251-3 長引線,IPak,TO-251AB
供應商設備封裝:TP
包裝:散裝

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