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2SD199 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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2SD1991A0A詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN GP AMP 50VCEO MT-1
系列:-
制造商:Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 10mA,100mA
電流_集電極截止(最大):1µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:160 @ 2mA,10V
功率_最大:400mW
頻率_轉換:150MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:3-SIP
供應商設備封裝:MT-1-A1
包裝:剪切帶 (CT)

2SD1991A0A詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN GP AMP 50VCEO MT-1
系列:-
制造商:Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 10mA,100mA
電流_集電極截止(最大):1µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:160 @ 2mA,10V
功率_最大:400mW
頻率_轉換:150MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:3-SIP
供應商設備封裝:MT-1-A1
包裝:帶盒(TB)

2SD1991ARA詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN GP AMP 50VCEO MT-1
系列:-
制造商:Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 10mA,100mA
電流_集電極截止(最大):1µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:210 @ 2mA,10V
功率_最大:400mW
頻率_轉換:150MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:3-SIP
供應商設備封裝:MT-1-A1
包裝:剪切帶 (CT)

2SD1991ARA詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN GP AMP 50VCEO MT-1
系列:-
制造商:Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 10mA,100mA
電流_集電極截止(最大):1µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:210 @ 2mA,10V
功率_最大:400mW
頻率_轉換:150MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:3-SIP
供應商設備封裝:MT-1-A1
包裝:帶盒(TB)

2SD1992A0A詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN LF AMP 50VCEO MT-1
系列:-
制造商:Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):500mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):600mV @ 30mA,300mA
電流_集電極截止(最大):1µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:85 @ 10mA,10V
功率_最大:600mW
頻率_轉換:200MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:3-SIP
供應商設備封裝:MT-1-A1
包裝:剪切帶 (CT)

2SD1992A0A詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN LF AMP 50VCEO MT-1
系列:-
制造商:Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):500mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):600mV @ 30mA,300mA
電流_集電極截止(最大):1µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:85 @ 10mA,10V
功率_最大:600mW
頻率_轉換:200MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:3-SIP
供應商設備封裝:MT-1-A1
包裝:帶盒(TB)

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