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2SD201 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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2SD2012詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR NPN 60V 3A TO-220F
系列:-
制造商:STMicroelectronics
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):3A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1V @ 200mA,2A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 500mA,5V
功率_最大:25W
頻率_轉換:3MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3 整包
供應商設備封裝:TO-220F
包裝:管件

2SD2012(F,M)詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR NPN 60V 3A TO220NIS
系列:-
制造商:Toshiba
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):3A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1V @ 200mA,2A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 500mA,5V
功率_最大:2W
頻率_轉換:3MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3 整包
供應商設備封裝:TO-220NIS
包裝:散裝

2SD2018詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN LF 60VCEO 1A TO-126
系列:-
制造商:Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products
晶體管類型:NPN - 達林頓
電流_集電極333Ic444(最大):1A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.8V @ 1mA,1A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:6500 @ 1A,10V
功率_最大:5W
頻率_轉換:-
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3
供應商設備封裝:TO-126B-A1
包裝:散裝

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