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2SJ40 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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2SJ401(Q)詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 60V 20A TO-220FL
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:20A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫歐 @ 10A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:90nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2800pF @ 10V
功率_最大:100W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3(SMT)標片
供應商設備封裝:TO-220FL
包裝:管件

2SJ402(Q)詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 60V 30A TO-220FL
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:30A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:38 毫歐 @ 15A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:110nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:3300pF @ 10V
功率_最大:100W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3(SMT)標片
供應商設備封裝:TO-220FL
包裝:管件

2SJ407(F)詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 200V 5A TO220NIS
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:200V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1 歐姆 @ 2.5A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:800pF @ 10V
功率_最大:30W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3 整包
供應商設備封裝:TO-220NIS
包裝:管件

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