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2SJ681(Q)詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：170 毫歐 @ 2.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 10V; 功率_最大：20W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA; 供應商設備封裝：PW-MOLD2; 包裝：散裝

2SJ683-TL-E詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 65A ZP; 系列：-; 制造商：SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：65A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10.5 毫歐 @ 33A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：-; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：290nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：15500pF @ 20V; 功率_最大：50W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：3-SMD，扁平引線; 供應商設備封裝：ZP; 包裝：Digi-Reel®

2SJ683-TL-E詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 65A ZP; 系列：-; 制造商：SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：65A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10.5 毫歐 @ 33A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：-; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：290nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：15500pF @ 20V; 功率_最大：50W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：3-SMD，扁平引線; 供應商設備封裝：ZP; 包裝：剪切帶 (CT)

2SJ683-TL-E詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 65A ZP; 系列：-; 制造商：SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：65A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10.5 毫歐 @ 33A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：-; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：290nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：15500pF @ 20V; 功率_最大：50W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：3-SMD，扁平引線; 供應商設備封裝：ZP; 包裝：帶卷 (TR)

2SJ687-ZK-E1-AY詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH -20V -20A TO-252; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：20A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫歐 @ 10A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：-; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：57nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4400pF @ 10V; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：TO-252（MP-3ZK）; 包裝：剪切帶 (CT)

2SJ687-ZK-E1-AY詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH -20V -20A TO-252; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：20A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫歐 @ 10A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：-; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：57nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4400pF @ 10V; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：TO-252（MP-3ZK）; 包裝：Digi-Reel®

1825GA681KAT1A\SB
陶瓷 AVX Corporation 1825（4564 公制） CAP CER 680PF 2KV 10% NP0 1825
3505-31 (BULK PK)
矩形 - 配件 3M 1825（4564 公制） CONN LONG EJECT LATCH GRAY
2SJ683-TL-E
FET - 單 SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 3-SMD，扁平引線 MOSFET P-CH 60V 65A ZP
08051A560KAT2A
陶瓷 AVX Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 56PF 100V 10% NP0 0805
2110992-2
矩形 - 外殼 TE Connectivity 0805（2012 公制） CONN RCPT HOUSING 2POS 2.5MM
1812HC681MAT1A\SB
陶瓷 AVX Corporation 1812（4532 公制） CAP CER 680PF 3KV 20% X7R 1812
1825GA821JATBE
陶瓷 AVX Corporation 1825（4564 公制） CAP CER 820PF 2KV 5% NP0 1825
3040449
接線座 - 接頭，插頭和插口 Phoenix Contact 1825（4564 公制） SPRING CAGE CONN 5POS 28-12AWG
1812AC203KAT1A
陶瓷 AVX Corporation 1812（4532 公制） CAP CER 0.02UF 1KV 10% X7R 1812
08051A561JAT2A
陶瓷 AVX Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 560PF 100V 5% NP0 0805
2110QA4
面板指示器，指示燈 Chicago Miniature Lighting, LLC 0805（2012 公制） INDICATOR NEON WHITE PANEL MNT
3040656
接線板 - 專用 Phoenix Contact 0805（2012 公制） FEED THROUGH TERM BLOCK 28-12AWG
1812AC220KATME
陶瓷 AVX Corporation 1812（4532 公制） CAP CER 22PF 1KV 10% X7R 1812
1825GC102KAT1A
陶瓷 AVX Corporation 1825（4564 公制） CAP CER 1000PF 2KV 10% X7R 1825
1812HC821KAT1A\SB
陶瓷 AVX Corporation 1812（4532 公制） CAP CER 820PF 3KV 10% X7R 1812

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