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2SK386 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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2SK3863(TE16L1,Q)詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 500V 5A DP
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:500V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.5 歐姆 @ 2.5A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:16nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:550pF @ 25V
功率_最大:40W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:DP
包裝:帶卷 (TR)

2SK3868(Q,M)詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:500V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.7 歐姆 @ 2.5A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:16nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:550pF @ 25V
功率_最大:35W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3 整包
供應商設備封裝:TO-220SIS
包裝:散裝

2SK3869(Q)詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 450V 10A TO220SIS
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:450V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:10A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:680 毫歐 @ 5A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:28nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1050pF @ 25V
功率_最大:40W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3 整包
供應商設備封裝:TO-220SIS
包裝:散裝

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