BC182L詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR NPN 50V 100MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):600mV @ 5mA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:120 @ 2mA,5V
- 功率_最大:350mW
- 頻率_轉換:150MHz
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3 標準主體
- 供應商設備封裝:TO-92-3
- 包裝:散裝
BC182L_D27Z詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR NPN 50V 100MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):600mV @ 5mA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:120 @ 2mA,5V
- 功率_最大:350mW
- 頻率_轉換:150MHz
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
- 供應商設備封裝:TO-92-3
- 包裝:帶卷 (TR)
BC182L_D74Z詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR NPN 50V 100MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):600mV @ 5mA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:120 @ 2mA,5V
- 功率_最大:350mW
- 頻率_轉換:150MHz
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
- 供應商設備封裝:TO-92-3
- 包裝:帶盒(TB)
BC182L_D75Z詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR NPN 50V 100MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):600mV @ 5mA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:120 @ 2mA,5V
- 功率_最大:350mW
- 頻率_轉換:150MHz
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
- 供應商設備封裝:TO-92-3
- 包裝:帶盒(TB)
BC182L_J35Z詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS BIPO GP NPN 50V TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):600mV @ 5mA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:120 @ 2mA,5V
- 功率_最大:350mW
- 頻率_轉換:150MHz
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3 標準主體
- 供應商設備封裝:TO-92-3
- 包裝:散裝
BC182LA詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR NPN 50V 100MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):-
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:-
- 功率_最大:-
- 頻率_轉換:-
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3 標準主體
- 供應商設備封裝:TO-92-3
- 包裝:散裝
- 可變電容二極管(可變電容二極管,變容二極管) Infineon Technologies SC-76,SOD-323 DIODE RF SGL 28V 20MA SOD323-2
- 陶瓷 TDK Corporation 01005(0402 公制) CAP CER 16PF 16V 2% NP0 01005
- 晶體管(BJT) - 單路 ON Semiconductor TO-226-3、TO-92-3 標準主體 TRANS SS NPN GP 50V 100MA TO-92
- PTC 可復位保險絲 EPCOS Inc 徑向,圓盤 PTC RESETTABLE 250MA 24V RAD
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 10000PF 50V 20% X7R 0603
- 涌入電流限制器 (ICL) EPCOS Inc 0603(1608 公制) CURRENT LIMITR INRSH 2.5 OHM 15%
- 邏輯 - 柵極和逆變器 Fairchild Semiconductor 14-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC GATE NAND DUAL 4INPUT 14SOIC
- 陶瓷 Kemet 1210(3225 公制) CAP CER 0.1UF 100V 5% NP0 1210
- 可變電容二極管(可變電容二極管,變容二極管) Infineon Technologies SC-76,SOD-323 DIODE VAR CAP 30V 20MA SOD-323
- PTC 可復位保險絲 EPCOS Inc 徑向,圓盤 PTC RESETTABLE 30MA 63V RAD
- 熱敏電阻 - NTC EPCOS Inc NTC THERMISTOR S 236/50 /M 51
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 10000PF 50V Y5V 0603
- 邏輯 - 柵極和逆變器 Fairchild Semiconductor 20-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) IC INVERTER DUAL 4-INPUT 20TSSOP
- 陶瓷 Kemet 1210(3225 公制) CAP CER 0.1UF 25V 5% NP0 1210
- 陶瓷 TDK Corporation 01005(0402 公制) CAP CER 16PF 16V 5% NP0 01005
灵璧县|
东兰县|
柘城县|
彰武县|
依兰县|
保德县|
万山特区|
礼泉县|
垦利县|
延津县|
平远县|
芜湖县|
娄烦县|
望城县|
静海县|
嘉鱼县|
星座|
肥城市|
日土县|
诏安县|
镇远县|
依安县|
瓮安县|
八宿县|
临沭县|
汶上县|
博罗县|
江陵县|
孟州市|
东平县|
宣化县|
斗六市|
贺兰县|
澄江县|
石棉县|
高要市|
靖安县|
正定县|
通渭县|
合川市|
扎赉特旗|