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BC33716詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR NPN 45V 800MA TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：800mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：45V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：100nA; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 100mA，1V; 功率_最大：625mW; 頻率_轉換：100MHz; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3 標準主體; 供應商設備封裝：TO-92-3; 包裝：散裝

BC33716_J35Z詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS NPN EPTXL 45V 800MA TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：800mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：45V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：100nA; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 100mA，1V; 功率_最大：625mW; 頻率_轉換：100MHz; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3 標準主體; 供應商設備封裝：TO-92-3; 包裝：散裝

BC33716BU詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR NPN 45V 800MA TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：800mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：45V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：100nA; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 100mA，1V; 功率_最大：625mW; 頻率_轉換：100MHz; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3 標準主體; 供應商設備封裝：TO-92-3; 包裝：散裝

BC33716TA詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR NPN 45V 800MA TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：800mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：45V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：100nA; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 100mA，1V; 功率_最大：625mW; 頻率_轉換：100MHz; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線; 供應商設備封裝：TO-92-3; 包裝：帶盒（TB）

BC33716TA詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR NPN 45V 800MA TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：800mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：45V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：100nA; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 100mA，1V; 功率_最大：625mW; 頻率_轉換：100MHz; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線; 供應商設備封裝：TO-92-3; 包裝：剪切帶 (CT)

BC33716TAR詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR NPN 45V 800MA TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：800mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：45V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：100nA; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 100mA，1V; 功率_最大：625mW; 頻率_轉換：100MHz; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線; 供應商設備封裝：TO-92-3; 包裝：帶盒（TB）

B43505A2477M87
電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 470UF 250V
7125
配件 Keystone Electronics CARRIER BD
BC848B,215
晶體管(BJT) - 單路 NXP Semiconductors TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT23
BB 831 E7904
可變電容二極管（可變電容二極管，變容二極管） Infineon Technologies SC-76，SOD-323 DIODE VAR CAP 30V 20MA SOD-323
BC32825BU
晶體管(BJT) - 單路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3 標準主體 TRANSISTOR PNP 25V 800MA TO-92
B32654A224K
薄膜 EPCOS Inc 徑向 FILM CAP 0.22UF 10% 1000V MKP
B32652A1472J189
薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 4.7NF 5% 1600V
BD9584F-E2
PMIC - 電源管理 - 專用 Rohm Semiconductor 8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） IC CURR DETECT EARTH LEAK 8SOP
B43505A2687M60
電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 680UF 250V
B32654A2333J000
薄膜 EPCOS Inc 徑向 CAP FILM 0.033UF 2KVDC RADIAL
BC848B-TP
晶體管(BJT) - 單路 Micro Commercial Co TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 100MA 30V SOT-23
BB 831 E7904
可變電容二極管（可變電容二極管，變容二極管） Infineon Technologies SC-76，SOD-323 DIODE VAR CAP 30V 20MA SOD-323
B32652A1472K
薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 4.7NF 10% 1600V MKP
BD9584F-E2
PMIC - 電源管理 - 專用 Rohm Semiconductor 8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） IC CURR DETECT EARTH LEAK 8SOP
B43505A5157M62
電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 150UF 450V

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