BC80816MTF詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR PNP 25V 800MA SOT-23
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):800mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):25V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):700mV @ 50mA,500mA
- 電流_集電極截止(最大):100nA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 100mA,1V
- 功率_最大:310mW
- 頻率_轉換:100MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23
- 包裝:帶卷 (TR)
BC808-25LT1詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR PNP 25V 500MA SOT-23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):500mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):25V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):700mV @ 50mA,500mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:160 @ 100mA,1V
- 功率_最大:225mW
- 頻率_轉換:100MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
- 包裝:帶卷 (TR)
BC808-25LT1G詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR PNP 25V 500MA SOT-23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):500mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):25V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):700mV @ 5mA,500mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:160 @ 100mA,1V
- 功率_最大:225mW
- 頻率_轉換:100MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
- 包裝:Digi-Reel®
BC808-25LT1G詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR PNP 25V 500MA SOT-23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):500mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):25V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):700mV @ 5mA,500mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:160 @ 100mA,1V
- 功率_最大:225mW
- 頻率_轉換:100MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
- 包裝:剪切帶 (CT)
BC808-25LT1G詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR PNP 25V 500MA SOT-23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):500mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):25V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):700mV @ 5mA,500mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:160 @ 100mA,1V
- 功率_最大:225mW
- 頻率_轉換:100MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
- 包裝:帶卷 (TR)
BC80825MTF詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR PNP 25V 800MA SOT-23
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):800mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):25V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):700mV @ 50mA,500mA
- 電流_集電極截止(最大):100nA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:160 @ 100mA,1V
- 功率_最大:310mW
- 頻率_轉換:100MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23
- 包裝:帶卷 (TR)
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Rohm Semiconductor TO-252-5,DPak(4 引線 + 接片),TO-252AD IC REG LDO 1.5V 1A TO252-5
- 薄膜 Vishay BC Components 徑向 CAP FILM 0.056UF 630VDC RADIAL
- 薄膜 AVX Corporation 徑向 CAP FILM 0.022UF 400VDC RADIAL
- 晶體管(BJT) - 陣列 NXP Semiconductors SC-74,SOT-457 TRANSISTOR PNP 500MA 45V 6TSOP
- 陶瓷 Kemet 1210(3225 公制) CAP CER 10UF 10V 10% X7R 1210
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 180PF 10V 5% NP0 0402
- 薄膜 Vishay BC Components 徑向 CAP FILM 6200PF 630VDC RADIAL
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Rohm Semiconductor TO-220-3截切引線 IC REG LDO 5V 1A TO220CP-3
- 配件 Cooper Bussmann TO-220-3截切引線 ACCY COVER SNAP-ON FOR HTC-15M
- 薄膜 AVX Corporation 徑向 CAP FILM 2.2UF 63VDC RADIAL
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 180PF 25V 10% X7R 0402
- 陶瓷 Kemet 1210(3225 公制) CAP CER 0.15UF 50V 5% NP0 1210
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Rohm Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 IC REG LDO 9V 1A TO252-3
- 陶瓷 TDK Corporation 0603(1608 公制) CAP CER 2.2UF 10V 20% X5R 0603
- 晶體管(BJT) - 單路 STMicroelectronics TO-225AA,TO-126-3 TRANS DARL NPN 60V SOT-32
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