BC847C,215詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS NPN GP 100MA 45V SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):45V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):400mV @ 5mA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:420 @ 2mA,5V
- 功率_最大:250mW
- 頻率_轉換:100MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:TO-236AB
- 包裝:帶卷 (TR)
BC847C,215詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS NPN GP 100MA 45V SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):45V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):400mV @ 5mA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:420 @ 2mA,5V
- 功率_最大:250mW
- 頻率_轉換:100MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:TO-236AB
- 包裝:帶卷 (TR)
BC847C,215詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS NPN GP 100MA 45V SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):45V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):400mV @ 5mA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:420 @ 2mA,5V
- 功率_最大:250mW
- 頻率_轉換:100MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:TO-236AB
- 包裝:Digi-Reel®
BC847C,215詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS NPN GP 100MA 45V SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):45V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):400mV @ 5mA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:420 @ 2mA,5V
- 功率_最大:250mW
- 頻率_轉換:100MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:TO-236AB
- 包裝:剪切帶 (CT)
BC847C,235詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):45V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):400mV @ 5mA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:420 @ 2mA,5V
- 功率_最大:250mW
- 頻率_轉換:100MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:TO-236AB
- 包裝:帶卷 (TR)
BC847C-7-F詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS NPN BIPOLAR 45V SOT23-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):45V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):600mV @ 5mA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):15nA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:420 @ 2mA,5V
- 功率_最大:300mW
- 頻率_轉換:300MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3
- 包裝:剪切帶 (CT)
- 電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 470UF 200V
- FFC,FPC(扁平軟線)- 連接器 - 面板安裝 Molex Connector Corporation CONN FFC/FPC 1MM 24POS VERT ZIF
- 單二極管/整流器 Fairchild Semiconductor DO-204AH,DO-35,軸向 DIODE HI COND 125V 200MA DO-35
- 晶體管(BJT) - 單路 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT23
- PMIC - 穩壓器 - DC DC 切換控制器 Rohm Semiconductor 28-LSSOP(0.220",5.60mm 寬) IC REG CTRLR BUCK PWM 28-SSOP
- 薄膜 EPCOS Inc 徑向 CAP FILM 0.068UF 1KVDC RADIAL
- 晶體管(BJT) - 單路 ON Semiconductor TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線 TRANSISTOR PNP 45V 100MA TO-92
- 薄膜 EPCOS Inc 徑向 CAP FILM 2200PF 2KVDC RADIAL
- 電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 680UF 200V
- 可變電容二極管(可變電容二極管,變容二極管) Infineon Technologies SC-76,SOD-323 DIODE VAR CAP 30V 20MA SOD-323
- 晶體管(BJT) - 單路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線 TRANSISTOR PNP 25V 100MA TO-92
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm Width)裸露焊盤 IC REG LDO 9V .5A 8HTSOP-J
- 薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 22NF 5% 2000V MKP
- 薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 10NF 5% 1000V
- 電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 1000UF 200V
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