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BC848A-7-F詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS BIPO NPN 300MW 30V SOT23-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：30V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA; 電流_集電極截止（最大）：15nA; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：110 @ 2mA，5V; 功率_最大：300mW; 頻率_轉換：300MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3; 包裝：帶卷 (TR)

BC848ALT1詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS NPN LP 100MA 30V SOT23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：30V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：110 @ 2mA，5V; 功率_最大：225mW; 頻率_轉換：100MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：剪切帶 (CT)

BC848ALT1G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS NPN LP 100MA 30V SOT23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：30V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：110 @ 2mA，5V; 功率_最大：225mW; 頻率_轉換：100MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：剪切帶 (CT)

BC848ALT1G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS NPN LP 100MA 30V SOT23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：30V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：110 @ 2mA，5V; 功率_最大：225mW; 頻率_轉換：100MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：帶卷 (TR)

BC848ALT1G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS NPN LP 100MA 30V SOT23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：30V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：110 @ 2mA，5V; 功率_最大：225mW; 頻率_轉換：100MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：Digi-Reel®

BC848AMTF詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT-23; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：30V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：110 @ 2mA，5V; 功率_最大：310mW; 頻率_轉換：300MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23; 包裝：帶卷 (TR)

7125
配件 Keystone Electronics CARRIER BD
B43505A2477M67
電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 470UF 250V
BC847T,115
晶體管(BJT) - 單路 NXP Semiconductors SC-75，SOT-416 TRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT416
BB 804 SF3 E6327
可變電容二極管（可變電容二極管，變容二極管） Infineon Technologies TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE VAR CAP 18V 50MA SOT-23
BC327TAR
晶體管(BJT) - 單路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線 TRANSISTOR PNP 45V 800MA TO-92
B32654A1683K
薄膜 EPCOS Inc 徑向 FILM CAP 68NF 10% 1600V MKP
BD9328EFJ_EVK
評估板 - DC/DC 與 AC/DC（離線）SMPS Rohm Semiconductor 徑向 BOARD EVAL BUCK REG BD9328
B32652A1392J289
薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 3.9NF 5% 1600V MKP
B43505A2477M80
電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 470UF 250V
BB 831 E7904
可變電容二極管（可變電容二極管，變容二極管） Infineon Technologies SC-76，SOD-323 DIODE VAR CAP 30V 20MA SOD-323
BC327ZL1G
晶體管(BJT) - 單路 ON Semiconductor TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線 TRANSISTOR PNP 45V 800MA TO-92
B32654A224J
薄膜 EPCOS Inc 徑向 CAP FILM 0.22UF 1KVDC RADIAL
BD9582F-E2
PMIC - 電源管理 - 專用 Rohm Semiconductor 8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） IC CURR DETECT EARTH LEAK 8SOP
B32652A1472J189
薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 4.7NF 5% 1600V
B43505A2477M87
電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 470UF 250V

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