BC849C 全國供應商、價格、PDF資料

BC849C,215詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發射極擊穿（最大）：30V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：420 @ 2mA，5V

功率_最大：250mW

頻率_轉換：100MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：TO-236AB

包裝：帶卷 (TR)

BC849C,215詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發射極擊穿（最大）：30V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：420 @ 2mA，5V

功率_最大：250mW

頻率_轉換：100MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：TO-236AB

包裝：剪切帶 (CT)

BC849C,215詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發射極擊穿（最大）：30V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：420 @ 2mA，5V

功率_最大：250mW

頻率_轉換：100MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：TO-236AB

包裝：帶卷 (TR)

BC849C,215詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發射極擊穿（最大）：30V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：420 @ 2mA，5V

功率_最大：250mW

頻率_轉換：100MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：TO-236AB

包裝：Digi-Reel®

BC849C,235詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發射極擊穿（最大）：30V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：420 @ 2mA，5V

功率_最大：250mW

頻率_轉換：100MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：TO-236AB

包裝：帶卷 (TR)

BC849CLT1詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT-23

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發射極擊穿（最大）：30V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：420 @ 2mA，5V

功率_最大：225mW

頻率_轉換：100MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）

包裝：帶卷 (TR)

• C200HG-CPU53-E

  其它    Omron Electronics Inc-IA Div    0805（2012 公制）    CPU 15.2K 1184POS I/O

• BC849BLT3G

  晶體管(BJT) - 單路    ON Semiconductor    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT-23

• C0805C102K5RACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 1000PF 50V 10% X7R 0805

• BD45295G-TR

  PMIC - 監控器    Rohm Semiconductor    6-TFSOP（0.063"，1.60mm 寬），5 引線    IC RESET OD 2.9V 50MS 5SSOP

• C1812C222JCGACTU

  陶瓷    Kemet    1812（4532 公制）    CAP CER 2200PF 500V 5% NP0 1812

• BFC238370472

  薄膜    Vishay BC Components    徑向    CAP FILM 4700PF 2.5KVDC RADIAL

• C0603C0G1H3R3B

  陶瓷    TDK Corporation    0201（0603 公制）    CAP CER 3.3PF 50V NP0 0201

• C200HG-CPU53-E

  其它    Omron Electronics Inc-IA Div    0201（0603 公制）    CPU 15.2K 1184POS I/O

• C0805C519C5GACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 5.1PF 50V NP0 0805

• BD45331G-TR

  PMIC - 監控器    Rohm Semiconductor    6-TFSOP（0.063"，1.60mm 寬），5 引線    IC RESET OD 3.3V 100MS 5SSOP

• C1812C222JDGACTU

  陶瓷    Kemet    1812（4532 公制）    CAP CER 2200PF 1KV 5% NP0 1812

• BFC238370513

  薄膜    Vishay BC Components    徑向    CAP FILM 0.051UF 2.5KVDC RADIAL

• C0603C0G1H3R3B

  陶瓷    TDK Corporation    0201（0603 公制）    CAP CER 3.3PF 50V NP0 0201

• C200H-IA121

  配件    Omron Electronics Inc-IA Div    0201（0603 公制）    TERM BLOCK PLC 8POS-IN 120VAC

• C0805C519C5GALTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 5.1PF 50V NP0 0805