BC856A,215詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR PNP 65V 100MA SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):65V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):650mV @ 5mA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:125 @ 2mA,5V
- 功率_最大:250mW
- 頻率_轉換:100MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:TO-236AB
- 包裝:Digi-Reel®
BC856A,215詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR PNP 65V 100MA SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):65V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):650mV @ 5mA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:125 @ 2mA,5V
- 功率_最大:250mW
- 頻率_轉換:100MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:TO-236AB
- 包裝:剪切帶 (CT)
BC856A,215詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR PNP 65V 100MA SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):65V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):650mV @ 5mA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:125 @ 2mA,5V
- 功率_最大:250mW
- 頻率_轉換:100MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:TO-236AB
- 包裝:帶卷 (TR)
BC856A,215詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR PNP 65V 100MA SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):65V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):650mV @ 5mA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:125 @ 2mA,5V
- 功率_最大:250mW
- 頻率_轉換:100MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:TO-236AB
- 包裝:帶卷 (TR)
BC856A-7-F詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS PNP BIPOLAR 65V SOT23-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):65V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):650mV @ 5mA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):15nA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:125 @ 2mA,5V
- 功率_最大:300mW
- 頻率_轉換:200MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3
- 包裝:Digi-Reel®
BC856A-7-F詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS PNP BIPOLAR 65V SOT23-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):65V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):650mV @ 5mA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):15nA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:125 @ 2mA,5V
- 功率_最大:300mW
- 頻率_轉換:200MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3
- 包裝:剪切帶 (CT)
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 560PF 25V 5% X7R 0805
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 0805(2012 公制) TERM BLOCK PLC 16POS-IN 120VAC
- 晶體管(BJT) - 單路 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR PNP 65V 100MA SOT23
- 陶瓷 TDK Corporation 0603(1608 公制) CAP CER 3300PF 50V 10% X8R 0603
- 薄膜 Vishay BC Components 徑向 CAP FILM 3900PF 2.5KVDC RADIAL
- 陶瓷 Kemet 1812(4532 公制) CAP CER 0.022UF 100V 5% NP0 1812
- PMIC - 監控器 Rohm Semiconductor 6-TFSOP(0.063",1.60mm 寬),5 引線 IC RESET OD 4.0V 100MS 5SSOP
- 陶瓷 TDK Corporation 0201(0603 公制) CAP CER 5.6PF 50V NP0 0201
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 0201(0603 公制) TERM BLOCK PLC 8POS-IN 240VAC
- 陶瓷 TDK Corporation 0603(1608 公制) CAP CER 0.033UF 50V 10% X8R 0603
- 陶瓷 Kemet 1812(4532 公制) CAP CER 0.022UF 100V 5% X7R 1812
- 薄膜 Vishay BC Components 徑向 CAP FILM 6800PF 2.5KVDC RADIAL
- PMIC - 監控器 Rohm Semiconductor 6-TFSOP(0.063",1.60mm 寬),5 引線 IC RESET OD 4.0V 200MS 5SSOP
- 陶瓷 TDK Corporation 0201(0603 公制) CAP CER 68PF 50V 5% NP0 0201
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 560PF 200V 10% X7R 0805
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