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當前位置:網站首頁 » 庫存索引189 » 型號"BC856BDW1T1G"的供應信息

BC856BDW1T1G 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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BC856BDW1T1G詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列
描述:TRANS PNP DUAL 65V 100MA SOT-363
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:2 PNP(雙)
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):65V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):650mV @ 5mA,100mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:220 @ 2mA,5V
功率_最大:380mW
頻率_轉換:100MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供應商設備封裝:SOT-363
包裝:帶卷 (TR)

BC856BDW1T1G詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列
描述:TRANS PNP DUAL 65V 100MA SOT-363
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:2 PNP(雙)
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):65V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):650mV @ 5mA,100mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:220 @ 2mA,5V
功率_最大:380mW
頻率_轉換:100MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供應商設備封裝:SOT-363
包裝:Digi-Reel®

BC856BDW1T1G詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列
描述:TRANS PNP DUAL 65V 100MA SOT-363
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:2 PNP(雙)
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):65V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):650mV @ 5mA,100mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:220 @ 2mA,5V
功率_最大:380mW
頻率_轉換:100MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供應商設備封裝:SOT-363
包裝:剪切帶 (CT)

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