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BC857BT 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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BC857BT,115詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR PNP 45V 100MA SC-75
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):45V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):400mV @ 5mA,100mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:220 @ 2mA,5V
功率_最大:150mW
頻率_轉換:100MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-75,SOT-416
供應商設備封裝:SC-75
包裝:Digi-Reel®

BC857BT,115詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR PNP 45V 100MA SC-75
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):45V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):400mV @ 5mA,100mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:220 @ 2mA,5V
功率_最大:150mW
頻率_轉換:100MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-75,SOT-416
供應商設備封裝:SC-75
包裝:剪切帶 (CT)

BC857BT,115詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR PNP 45V 100MA SC-75
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):45V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):400mV @ 5mA,100mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:220 @ 2mA,5V
功率_最大:150mW
頻率_轉換:100MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-75,SOT-416
供應商設備封裝:SC-75
包裝:帶卷 (TR)

BC857BT,115詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR PNP 45V 100MA SC-75
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):45V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):400mV @ 5mA,100mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:220 @ 2mA,5V
功率_最大:150mW
頻率_轉換:100MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-75,SOT-416
供應商設備封裝:SC-75
包裝:帶卷 (TR)

BC857BT116詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR PNP 45V 1MA SST3 TR
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):45V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):650mV @ 5mA,100mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:210 @ 2mA,5V
功率_最大:350mW
頻率_轉換:250MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:SST3
包裝:帶卷 (TR)

BC857BT-7詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR -45V PNP SMD SOT-523
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):45V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):650mV @ 5mA,100mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:220 @ 2mA,5V
功率_最大:150mW
頻率_轉換:100MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-523
供應商設備封裝:SOT-523
包裝:帶卷 (TR)

BC857BT供應商

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