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BCP53 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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BCP53詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR PNP 80V 1.2A SOT-223
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):1.2A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):80V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 50mA,500mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:40 @ 150mA,2V
功率_最大:1.5W
頻率_轉換:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
供應商設備封裝:SOT-223-4
包裝:Digi-Reel®

BCP53詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR PNP 80V 1.2A SOT-223
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):1.2A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):80V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 50mA,500mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:40 @ 150mA,2V
功率_最大:1.5W
頻率_轉換:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
供應商設備封裝:SOT-223-4
包裝:帶卷 (TR)

BCP53詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR PNP 80V 1.2A SOT-223
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):1.2A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):80V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 50mA,500mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:40 @ 150mA,2V
功率_最大:1.5W
頻率_轉換:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
供應商設備封裝:SOT-223-4
包裝:剪切帶 (CT)

BCP53,115詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR PNP 80V 1A SOT-223
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):1A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):80V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 50mA,500mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:63 @ 150mA,2V
功率_最大:1W
頻率_轉換:145MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
供應商設備封裝:SC-73
包裝:Digi-Reel®

BCP53,115詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR PNP 80V 1A SOT-223
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):1A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):80V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 50mA,500mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:63 @ 150mA,2V
功率_最大:1W
頻率_轉換:145MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
供應商設備封裝:SC-73
包裝:帶卷 (TR)

BCP53,115詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR PNP 80V 1A SOT-223
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):1A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):80V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 50mA,500mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:63 @ 150mA,2V
功率_最大:1W
頻率_轉換:145MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
供應商設備封裝:SC-73
包裝:帶卷 (TR)

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