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BCP56-10,115詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR NPN 80V 1A SOT223; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：1A; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：80V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：63 @ 150mA，2V; 功率_最大：960mW; 頻率_轉換：180MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應商設備封裝：SC-73; 包裝：剪切帶 (CT)

BCP56-10,115詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR NPN 80V 1A SOT223; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：1A; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：80V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：63 @ 150mA，2V; 功率_最大：960mW; 頻率_轉換：180MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應商設備封裝：SC-73; 包裝：Digi-Reel®

BCP56-10,115詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR NPN 80V 1A SOT223; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：1A; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：80V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：63 @ 150mA，2V; 功率_最大：960mW; 頻率_轉換：180MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應商設備封裝：SC-73; 包裝：帶卷 (TR)

BCP56-10,135詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR NPN 80V 1A SOT223; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：1A; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：80V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：63 @ 150mA，2V; 功率_最大：960mW; 頻率_轉換：180MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應商設備封裝：SC-73; 包裝：帶卷 (TR)

BCP56-10T1G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR NPN 80V 1A SOT-223; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：1A; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：80V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：63 @ 150mA，2V; 功率_最大：1.5W; 頻率_轉換：130MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應商設備封裝：SOT-223; 包裝：Digi-Reel®

BCP56-10T1G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR NPN 80V 1A SOT-223; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：1A; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：80V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：63 @ 150mA，2V; 功率_最大：1.5W; 頻率_轉換：130MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應商設備封裝：SOT-223; 包裝：帶卷 (TR)

68121W1102001
D-Sub Norcomp Inc. DO-204AH，DO-35，軸向 CONN MALE 21W1 VERT DIP SLD TIN
B85121A2105A750
饋通式電容器 EPCOS Inc 軸向 - 螺紋端子 CAP FEEDTHRU 250VAC 75A 1UF
BCP56-10T1G
晶體管(BJT) - 單路 ON Semiconductor TO-261-4，TO-261AA TRANSISTOR NPN 80V 1A SOT-223
C2012X7R1E105K
陶瓷 TDK Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 1UF 25V 10% X7R 0805
AX500-FGG676I
嵌入式 - FPGA（現場可編程門陣列） Microsemi SoC 676-BGA IC FPGA AXCELERATOR 500K 676FBGA
BAS20-7
單二極管/整流器 Diodes Inc TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE SWITCH 150V 250MW SOT23-3
BZX79C16_T50R
單二極管/齊納 Fairchild Semiconductor DO-204AH，DO-35，軸向 DIODE ZENER 16V 500MW DO-35
C1D0406N-A
旋轉 Electroswitch DO-204AH，DO-35，軸向 SWITCH ROTARY 4P-6POS ENCLOSED
B85121A2504A101
饋通式電容器 EPCOS Inc 軸向 - 螺紋端子 CAP FEEDTHRU 250VAC 100A .5UF
C2012X7R1E224K
陶瓷 TDK Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 0.22UF 25V 10% X7R 0805
BAS20DW-7
二極管，整流器 - 陣列 Diodes Inc 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 DIODE SWITCH 150V 200MW SC70-6
AXA003A0X4-SRZ
DC DC Converters GE 5-SMD 模塊 CONVERT DC/DC 0.75 5.5V @ 3A SMD
BZX79C18_T50R
單二極管/齊納 Fairchild Semiconductor DO-204AH，DO-35，軸向 DIODE ZENER 18V 500MW DO-35
C1D0606S-A
旋轉 Electroswitch DO-204AH，DO-35，軸向 SWITCH ROTARY 6P-6POS ENCLOSED
68121W2102001
D-Sub Norcomp Inc. DO-204AH，DO-35，軸向 CONN FEM 21W1 VERT DIP SLD TIN

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