BCW61 全國供應商、價格、PDF資料

BCW61AMTF詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR PNP 32V 100MA SOT-23

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發射極擊穿（最大）：32V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：550mV @ 1.25mA，50mA

電流_集電極截止（最大）：20nA

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：120 @ 2mA，5V

功率_最大：350mW

頻率_轉換：-

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：SOT-23

包裝：帶卷 (TR)

BCW61B,215詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR PNP 32V 100MA SOT23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發射極擊穿（最大）：32V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：550mV @ 1.25mA，50mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：180 @ 2mA，5V

功率_最大：250mW

頻率_轉換：100MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：TO-236AB

包裝：剪切帶 (CT)

BCW61B,215詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR PNP 32V 100MA SOT23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發射極擊穿（最大）：32V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：550mV @ 1.25mA，50mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：180 @ 2mA，5V

功率_最大：250mW

頻率_轉換：100MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：TO-236AB

包裝：帶卷 (TR)

BCW61B,215詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR PNP 32V 100MA SOT23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發射極擊穿（最大）：32V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：550mV @ 1.25mA，50mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：180 @ 2mA，5V

功率_最大：250mW

頻率_轉換：100MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：TO-236AB

包裝：Digi-Reel®

BCW61B,215詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR PNP 32V 100MA SOT23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發射極擊穿（最大）：32V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：550mV @ 1.25mA，50mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：180 @ 2mA，5V

功率_最大：250mW

頻率_轉換：100MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：TO-236AB

包裝：帶卷 (TR)

BCW61BMTF詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR PNP 32V 100MA SOT-23

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發射極擊穿（最大）：32V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：550mV @ 1.25mA，50mA

電流_集電極截止（最大）：20nA

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：140 @ 2mA，5V

功率_最大：350mW

頻率_轉換：-

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：SOT-23

包裝：帶卷 (TR)

• ADS7809U

  數據采集 - 模數轉換器    Texas Instruments    20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）    IC 16BIT SRL CMOS A/D SMD 20SOIC

• B32921C3103K

  薄膜    EPCOS Inc    徑向    FILM CAP 10NF 10% 305VAC MKPX2

• AQ11EA1R0BA1WE

  陶瓷    AVX Corporation    0606（1616 公制）    CAP CER 1PF 150V 0606

• B37988G5474M054

  陶瓷    EPCOS Inc    徑向    CAP CER 0.47UF 50V Z5U RADIAL

• APTM50HM75FTG

  FET    Microsemi Power Products Group    SP4    MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP4

• 40J20R

  通孔電阻器    Ohmite    軸向    RES 20 OHM 10W 5% WW AXIAL

• AMC10DRTH-S734

  Card Edge, Edgeboard Connectors    Sullins Connector Solutions    軸向    CONN EDGECARD 20POS DIP .100 SLD

• ADS7812UBG4

  數據采集 - 模數轉換器    Texas Instruments    16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）    IC ADC 12BIT SER 40K 16SOIC

• B32921C3103K

  薄膜    EPCOS Inc    徑向    FILM CAP 10NF 10% 305VAC MKPX2

• B37988G5474M054

  陶瓷    EPCOS Inc    徑向    CAP CER 0.47UF 50V Z5U RADIAL

• APTR3216EC

  LED - 分立式    Kingbright Corp    1206（3216 公制）    LED 3.2X1.6MM 625NM RED CLR SMD

• AMC10DRTI

  Card Edge, Edgeboard Connectors    Sullins Connector Solutions    1206（3216 公制）    CONN EDGECARD 20POS .100 DIP SLD

• 40J35RE

  通孔電阻器    Ohmite    軸向    RES 35 OHM 10W 5% WW AXIAL

• ADS7812UE4

  數據采集 - 模數轉換器    Texas Instruments    16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）    IC 12BIT 35MW SER OUT ADC 16SOIC

• B32921C3103M189

  薄膜    EPCOS Inc    徑向    FILM CAP 10NF 20% 305VAC MKPX2