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BCY59 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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BCY59IX詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR NPN SS TO-18
系列:-
制造商:STMicroelectronics
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):200mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):45V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):700mV @ 2.5mA,100mA
電流_集電極截止(最大):10nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:180 @ 2mA,5V
功率_最大:390mW
頻率_轉換:200MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐
供應商設備封裝:TO-18
包裝:散裝

BCY59VIII詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR NPN SS TO-18
系列:-
制造商:STMicroelectronics
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):200mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):45V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):700mV @ 2.5mA,100mA
電流_集電極截止(最大):10nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:180 @ 2mA,5V
功率_最大:390mW
頻率_轉換:200MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐
供應商設備封裝:TO-18
包裝:散裝

BCY59X詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR NPN SS TO-18
系列:-
制造商:STMicroelectronics
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):200mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):45V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):700mV @ 2.5mA,100mA
電流_集電極截止(最大):10nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:180 @ 2mA,5V
功率_最大:390mW
頻率_轉換:200MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐
供應商設備封裝:TO-18
包裝:散裝

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