BCY59IX詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR NPN SS TO-18
- 系列:-
- 制造商:STMicroelectronics
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):200mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):45V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):700mV @ 2.5mA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):10nA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:180 @ 2mA,5V
- 功率_最大:390mW
- 頻率_轉換:200MHz
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐
- 供應商設備封裝:TO-18
- 包裝:散裝
BCY59VIII詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR NPN SS TO-18
- 系列:-
- 制造商:STMicroelectronics
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):200mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):45V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):700mV @ 2.5mA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):10nA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:180 @ 2mA,5V
- 功率_最大:390mW
- 頻率_轉換:200MHz
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐
- 供應商設備封裝:TO-18
- 包裝:散裝
BCY59X詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR NPN SS TO-18
- 系列:-
- 制造商:STMicroelectronics
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):200mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):45V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):700mV @ 2.5mA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):10nA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:180 @ 2mA,5V
- 功率_最大:390mW
- 頻率_轉換:200MHz
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐
- 供應商設備封裝:TO-18
- 包裝:散裝
- 薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 0.36UF 5% 400V MKP
- 單二極管/齊納 Fairchild Semiconductor DO-204AL,DO-41,軸向 DIODE ZENER 3.9V 1W DO-41
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div DO-204AL,DO-41,軸向 TERM BLOCK PLC 16POS NPN INPUT
- 電容器 EPCOS Inc 2700UF 35V 18X40 SINGLE END
- 晶體管(BJT) - 單路 Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR PNP 45V 500MA SOT-23
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 0.033UF 10V 20% X7R 0402
- 薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 0.47UF 10% 400V MKP
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div TERM BLOCK PLC 16POS PNP INPUT
- 單二極管/齊納 Fairchild Semiconductor DO-204AL,DO-41,軸向 DIODE ZENER 4.3V 1W DO-41
- 電容器 EPCOS Inc 560UF 35V 12.5X25 SINGLE END
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 3.3PF 25V NP0 0402
- 薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 0.47UF 10% 400V
- 矩形- 接頭,公引腳 FCI CONN HEADER 12POS .100 STR 30AU
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div TERM BLOCK PLC 16POS PNP INPUT
- 單二極管/齊納 Fairchild Semiconductor DO-204AL,DO-41,軸向 DIODE ZENER 56V 1W DO-41
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