BF821 全國供應商、價格、PDF資料

BF821,215詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS PNP 300V 50MA SOT23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：50mA

電壓_集電極發射極擊穿（最大）：300V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：800mV @ 5mA，30mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：50 @ 25mA，20V

功率_最大：250mW

頻率_轉換：60MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：TO-236AB

包裝：Digi-Reel®

BF821,215詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS PNP 300V 50MA SOT23

系列：*

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：50mA

電壓_集電極發射極擊穿（最大）：300V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：800mV @ 5mA，30mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：50 @ 25mA，20V

功率_最大：250mW

頻率_轉換：60MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：TO-236AB

包裝：帶卷 (TR)

BF821,215詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS PNP 300V 50MA SOT23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：50mA

電壓_集電極發射極擊穿（最大）：300V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：800mV @ 5mA，30mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：50 @ 25mA，20V

功率_最大：250mW

頻率_轉換：60MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：TO-236AB

包裝：帶卷 (TR)

BF821,215詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS PNP 300V 50MA SOT23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：50mA

電壓_集電極發射極擊穿（最大）：300V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：800mV @ 5mA，30mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：50 @ 25mA，20V

功率_最大：250mW

頻率_轉換：60MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：TO-236AB

包裝：剪切帶 (CT)

BF821,235詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS PNP 300V 50MA SOT23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：50mA

電壓_集電極發射極擊穿（最大）：300V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：800mV @ 5mA，30mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：50 @ 25mA，20V

功率_最大：250mW

頻率_轉換：60MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：TO-236AB

包裝：剪切帶 (CT)

BF821,235詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS PNP 300V 50MA SOT23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：50mA

電壓_集電極發射極擊穿（最大）：300V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：800mV @ 5mA，30mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：50 @ 25mA，20V

功率_最大：250mW

頻率_轉換：60MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：TO-236AB

包裝：帶卷 (TR)

• BK/S-8202-2-R

  保險絲座    Cooper Bussmann    20-SSOP（0.209"，5.30mm 寬）    FUSEBLOCK 2POS FOR 1/4X1-1/4" QC

• BCW 61D E6327

  晶體管(BJT) - 單路    Infineon Technologies    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    TRANSISTOR PNP AF 32V SOT-23

• C0805C332KBRACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 3300PF 630V 10% X7R 0805

• BF821,215

  晶體管(BJT) - 單路    NXP Semiconductors    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    TRANS PNP 300V 50MA SOT23

• 74HC58D,653

  邏輯 - 柵極和逆變器 - 多功能，可配置    NXP Semiconductors    14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC DUAL AND-OR GATE 14SOIC

• 74F521SCX

  邏輯 - 比較器    Fairchild Semiconductor    20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）    IC COMPARATOR IDENTITY 8B 20SOIC

• C0603X5R1H101M

  陶瓷    TDK Corporation    0201（0603 公制）    CAP CER 100PF 50V 20% X5R 0201

• BK/S-8301-3

  保險絲座    Cooper Bussmann    0201（0603 公制）    FUSEBLOCK 3POS 1/4X1-1/4" SCREW

• BCW 66H E6327

  晶體管(BJT) - 單路    Infineon Technologies    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    TRANSISTOR NPN AF 45V SOT-23

• 74F521SJX

  邏輯 - 比較器    Fairchild Semiconductor    20-SOIC（0.209"，5.30mm 寬）    IC COMPARATOR IDENTITY 8B 20SOP

• C0603X5R1H151K

  陶瓷    TDK Corporation    0201（0603 公制）    CAP CER 150PF 50V 10% X5R 0201

• BCW 67C E6327

  晶體管(BJT) - 單路    Infineon Technologies    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    TRANSISTOR PNP AF 32V SOT-23

• BK/S-8301-4

  保險絲座    Cooper Bussmann    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    FUSEBLOCK 4POS 1/4X1-1/4" SCREW

• C0805C332KCRACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 3300PF 500V 10% X7R 0805

• BF824W,135

  晶體管(BJT) - 單路    NXP Semiconductors    SC-70，SOT-323    TRANS PNP 30V 25MA SOT323