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BLM18BA121SN1D詳細規格: 類別：鐵氧體磁珠和芯片; 描述：FERRITE CHIP 120 OHM 200MA 0603; 系列：EMIFIL®, BLM18B; 制造商：Murata Electronics North America; 頻率對應阻抗：120 歐姆 @ 100MHz; 額定電流：200mA; DC電阻333DCR444：最大 900 毫歐; 濾波器類型：差模 - 單線; 封裝/外殼：0603（1608 公制）; 安裝類型：表面貼裝; 包裝：帶卷 (TR); 高度（最大）：0.037"（0.95mm）; 尺寸/尺寸：0.063" L x 0.031" W（1.60mm x 0.80mm）

BLM18BA121SN1D詳細規格: 類別：鐵氧體磁珠和芯片; 描述：FERRITE CHIP 120 OHM 200MA 0603; 系列：EMIFIL®, BLM18B; 制造商：Murata Electronics North America; 頻率對應阻抗：120 歐姆 @ 100MHz; 額定電流：200mA; DC電阻333DCR444：最大 900 毫歐; 濾波器類型：差模 - 單線; 封裝/外殼：0603（1608 公制）; 安裝類型：表面貼裝; 包裝：剪切帶 (CT); 高度（最大）：0.037"（0.95mm）; 尺寸/尺寸：0.063" L x 0.031" W（1.60mm x 0.80mm）

BLM18BA121SN1D詳細規格: 類別：鐵氧體磁珠和芯片; 描述：FERRITE CHIP 120 OHM 200MA 0603; 系列：EMIFIL®, BLM18B; 制造商：Murata Electronics North America; 頻率對應阻抗：120 歐姆 @ 100MHz; 額定電流：200mA; DC電阻333DCR444：最大 900 毫歐; 濾波器類型：差模 - 單線; 封裝/外殼：0603（1608 公制）; 安裝類型：表面貼裝; 包裝：Digi-Reel®; 高度（最大）：0.037"（0.95mm）; 尺寸/尺寸：0.063" L x 0.031" W（1.60mm x 0.80mm）

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BLM18AG601SN1D
鐵氧體磁珠和芯片 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） FERRITE CHIP 600 OHM 500MA 0603
C0603C0G1E080C
陶瓷 TDK Corporation 0201（0603 公制） CAP CER 8PF 25V NP0 0201
BI-2032
配件 MPD (Memory Protection Devices) 0201（0603 公制） COIN CELL INSULATOR MADE IN USA
70MT160PB
橋式整流器 Vishay Semiconductors 7-MTPB DIODE BRDG 3PHS 1600V 7OA INTPK
B32573A3155J
薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 1.5UF 5% 250V
BFC237111274
薄膜 Vishay BC Components 徑向 CAP FILM 0.27UF 63VDC RADIAL
B43514C4827M7
電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP 4-PIN 820UF 350V
C2065A.12.01
單芯導線 General Cable/Carol Brand BLK-STRANDED-HOOKUP WIRE 16 AWG
BI-2032
配件 MPD (Memory Protection Devices) COIN CELL INSULATOR MADE IN USA
B32591C6153J008
薄膜 EPCOS Inc 徑向 CAP FILM 0.015UF 400VDC RADIAL
70-OAC24
I/O 繼電器模塊 - 輸出 Grayhill Inc 徑向 OUTPUT MODULE AC STD 9MA 24VDC
BFC237111394
薄膜 Vishay BC Components 徑向 CAP FILM 0.39UF 63VDC RADIAL
B43514C5108M7
電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP 4-PIN 1000UF 450V
C2065A.21.05
單芯導線 General Cable/Carol Brand HOOK-UP WIRE YEL STRANDED 16 AWG
BI-2032
配件 MPD (Memory Protection Devices) COIN CELL INSULATOR MADE IN USA