BS870-7詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:250mA
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5 歐姆 @ 200mA,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:50pF @ 10V
- 功率_最大:300mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3
- 包裝:剪切帶 (CT)
BS870-7詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:250mA
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5 歐姆 @ 200mA,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:50pF @ 10V
- 功率_最大:300mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3
- 包裝:帶卷 (TR)
BS870-7-F詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:250mA
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5 歐姆 @ 200mA,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:50pF @ 10V
- 功率_最大:300mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3
- 包裝:帶卷 (TR)
BS870-7-F詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:250mA
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5 歐姆 @ 200mA,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:50pF @ 10V
- 功率_最大:300mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3
- 包裝:Digi-Reel®
BS870-7-F詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:250mA
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5 歐姆 @ 200mA,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:50pF @ 10V
- 功率_最大:300mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3
- 包裝:剪切帶 (CT)
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