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BS870-7 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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BS870-7詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:250mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5 歐姆 @ 200mA,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
輸入電容333Ciss4440a0Vds:50pF @ 10V
功率_最大:300mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:SOT-23-3
包裝:剪切帶 (CT)

BS870-7詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:250mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5 歐姆 @ 200mA,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
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輸入電容333Ciss4440a0Vds:50pF @ 10V
功率_最大:300mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:SOT-23-3
包裝:帶卷 (TR)

BS870-7-F詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:250mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5 歐姆 @ 200mA,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
輸入電容333Ciss4440a0Vds:50pF @ 10V
功率_最大:300mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:SOT-23-3
包裝:帶卷 (TR)

BS870-7-F詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:250mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5 歐姆 @ 200mA,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
輸入電容333Ciss4440a0Vds:50pF @ 10V
功率_最大:300mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:SOT-23-3
包裝:Digi-Reel®

BS870-7-F詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:250mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5 歐姆 @ 200mA,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
輸入電容333Ciss4440a0Vds:50pF @ 10V
功率_最大:300mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:SOT-23-3
包裝:剪切帶 (CT)

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