BSC027N03S 全國供應商、價格、PDF資料

BSC027N03S G詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

系列：OptiMOS™

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：100A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.7 毫歐 @ 50A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 90µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：51nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：6540pF @ 15V

功率_最大：89W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-PowerTDFN

供應商設備封裝：PG-TDSON-8（5.15x6.15）

包裝：帶卷 (TR)

• B43508B2158M67

  電容器    EPCOS Inc        AL-ELKO SNAP IN 1500UF 200V

• C3216Y5V1H225Z/0.85

  陶瓷    TDK Corporation    1206（3216 公制）    CAP CER 2.2UF 50V Y5V 1206

• B57321V2222J60

  熱敏電阻 - NTC    EPCOS Inc    0603（1608 公制）    THERMISTOR NTC 2.2K OHM 5% SMD

• BSC020N03MS G

  FET - 單    Infineon Technologies    8-PowerTDFN    MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

• C0805C270J5GALTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 27PF 50V 5% NP0 0805

• BF821,215

  晶體管(BJT) - 單路    NXP Semiconductors    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    TRANS PNP 300V 50MA SOT23

• C3225X5R1A226M/5

  陶瓷    TDK Corporation    1210（3225 公制）    CAP CER 22UF 10V 20% X5R 1210

• B43508B2188M67

  電容器    EPCOS Inc        AL-ELKO SNAP IN 1800UF 200V

• C3216Y5V1H475Z

  陶瓷    TDK Corporation    1206（3216 公制）    CAP CER 4.7UF 50V Y5V 1206

• B57321V2223J60

  熱敏電阻 - NTC    EPCOS Inc    0603（1608 公制）    NTC THERMISTOR 0603 22K J60

• C0805C270K5GACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 27PF 50V 10% NP0 0805

• BF821,235

  晶體管(BJT) - 單路    NXP Semiconductors    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    TRANS PNP 300V 50MA SOT23

• C3225X5R1A336M

  陶瓷    TDK Corporation    1210（3225 公制）    CAP CER 33UF 10V 20% X5R 1210

• B43508B2567M62

  電容器    EPCOS Inc        AL-ELKO SNAP IN 560UF 200V

• C3216Y5V1H475Z

  陶瓷    TDK Corporation    1206（3216 公制）    CAP CER 4.7UF 50V Y5V 1206