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BSC119N03S 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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BSC119N03S G詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 30A TDSON-8
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:30A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:11.9 毫歐 @ 30A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 20µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:11nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1370pF @ 15V
功率_最大:43W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-PowerTDFN
供應商設備封裝:PG-TDSON-8(5.15x6.15)
包裝:Digi-Reel®

BSC119N03S G詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 30A TDSON-8
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:30A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:11.9 毫歐 @ 30A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 20µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:11nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1370pF @ 15V
功率_最大:43W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-PowerTDFN
供應商設備封裝:PG-TDSON-8(5.15x6.15)
包裝:帶卷 (TR)

BSC119N03S G詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 30A TDSON-8
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:30A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:11.9 毫歐 @ 30A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 20µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:11nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1370pF @ 15V
功率_最大:43W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-PowerTDFN
供應商設備封裝:PG-TDSON-8(5.15x6.15)
包裝:剪切帶 (CT)

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