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BSP250,115詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 3A SOT223; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：250 毫歐 @ 1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 20V; 功率_最大：1.65W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應商設備封裝：SC-73; 包裝：帶卷 (TR)

BSP250,115詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 3A SOT223; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：250 毫歐 @ 1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 20V; 功率_最大：1.65W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應商設備封裝：SC-73; 包裝：剪切帶 (CT)

BSP250,115詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 3A SOT223; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：250 毫歐 @ 1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 20V; 功率_最大：1.65W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應商設備封裝：SC-73; 包裝：帶卷 (TR)

BSP250,115詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 3A SOT223; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：250 毫歐 @ 1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 20V; 功率_最大：1.65W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應商設備封裝：SC-73; 包裝：Digi-Reel®

BSP250,135詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 3A SOT223; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：250 毫歐 @ 1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 20V; 功率_最大：1.65W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應商設備封裝：SC-73; 包裝：Digi-Reel®

BSP250,135詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 3A SOT223; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：250 毫歐 @ 1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 20V; 功率_最大：1.65W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應商設備封裝：SC-73; 包裝：剪切帶 (CT)

C3216C0G2E472J
陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 4700PF 250V 5% NP0 1206
BFG.3K.100.NAS
圓形 - 配件 LEMO 1206（3216 公制） CAP F.PLUG CDG COVER
BSP220,115
FET - 單 NXP Semiconductors TO-261-4，TO-261AA MOSFET P-CH 200V 225MA SOT223
BR24L16F-WE2
存儲器 Rohm Semiconductor 8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） IC EEPROM 16KBIT 400KHZ 8SOP
BGA-BH-30
配件 OKI/Metcal 8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） KIT UPGRADE FOR BOARD HOLDER
BD48K50G-TL
PMIC - 監控器 Rohm Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC DETECTOR VOLT 5.0V OD SSOP3
B3F-1052
觸摸 Omron Electronics Inc-EMC Div TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 24V
C3216C0G2E682J
陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 6800PF 250V 5% NP0 1206
B82422T3220K
固定式 EPCOS Inc 1210（3225 公制） INDUCTOR .022UH 450MA 1210 10%
BR24L16F-WE2
存儲器 Rohm Semiconductor 8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） IC EEPROM 16KBIT 400KHZ 8SOP
B3F-3120
觸摸 Omron Electronics Inc-EMC Div 8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 24V
C3216C0G2J101J
陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 100PF 630V 5% NP0 1206
BGA-BH-30
配件 OKI/Metcal 1206（3216 公制） KIT UPGRADE FOR BOARD HOLDER
BD4925G-TR
PMIC - 監控器 Rohm Semiconductor 6-TFSOP（0.063"，1.60mm 寬），5 引線 IC RESET CMOS 2.5V 5SSOP
B82422X100
無源 - 電感器，線圈，扼流圈 EPCOS Inc 6-TFSOP（0.063"，1.60mm 寬），5 引線 KIT INDUCTOR 1210-A SERIES

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