BSP300 E6327詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:800V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:190mA
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:20 歐姆 @ 190mA,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:230pF @ 25V
- 功率_最大:1.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
- 供應商設備封裝:PG-SOT223-4
- 包裝:帶卷 (TR)
BSP300 L6327詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:800V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:190mA
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:20 歐姆 @ 190mA,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:230pF @ 25V
- 功率_最大:1.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
- 供應商設備封裝:PG-SOT223-4
- 包裝:帶卷 (TR)
- 評估演示板和套件 Texas Instruments 0805(2012 公制) EVAL MOD FOR BQ24004
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 1200PF 50V 5% X7R 0603
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 0.1UF 50V 10% X7R 0805
- FET - 單 Infineon Technologies TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 500V 400MA SOT-223
- 邏輯 - 觸發器 Texas Instruments 48-TFSOP(0.173",4.40mm 寬) IC 16BIT TRIG D F-F 48-TVSOP
- 光隔離器 - 邏輯輸出 Fairchild Optoelectronics Group 6-SOIC OPTOCOUPLER TTL BUFF 6-SOIC
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 6-SOIC BACKPLANE 3 SLOT CPU
- 陶瓷 TDK Corporation 0805(2012 公制) CAP CER 10UF 16V 10% X5R 0805
- PMIC - 電池管理 Texas Instruments 20-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)裸露焊盤 IC LI-ION CHARGE MGMT 20-HTSSOP
- 邏輯 - 觸發器 Texas Instruments 48-TFSOP(0.173",4.40mm 寬) IC FLIP FLOP D-TYPE DUAL 48TVSOP
- 光隔離器 - 邏輯輸出 Fairchild Optoelectronics Group 6-DIP(0.300",7.62mm) OPTOCOUPLER TTL INVERTER 6-DIP
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 6-DIP(0.300",7.62mm) BACKPLANE 3 SLOT CPU
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 0.1UF 50V 10% X7R 0805
- 陶瓷 TDK Corporation 0805(2012 公制) CAP CER 10UF 16V 20% X5R 0805
- PMIC - 電池管理 Texas Instruments 20-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)裸露焊盤 IC LI-ION CHARGE MGMT 20-HTSSOP
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