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BSP315P L6327詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.17A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫歐 @ 1.17A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 160µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.8nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：160pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應商設備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：帶卷 (TR)

BSP315P L6327詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.17A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫歐 @ 1.17A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 160µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.8nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：160pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應商設備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：剪切帶 (CT)

BSP315P L6327詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.17A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫歐 @ 1.17A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 160µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.8nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：160pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應商設備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：Digi-Reel®

BSP315P-E6327詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.17A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫歐 @ 1.17A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 160µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.8nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：160pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應商設備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：剪切帶 (CT)

BSP315P-E6327詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.17A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫歐 @ 1.17A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 160µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.8nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：160pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應商設備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：帶卷 (TR)

BSP315PE6327T詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.17A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫歐 @ 1.17A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 160µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.8nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：160pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應商設備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：帶卷 (TR)

60601-1
端子 - 快速連接，快速斷連 TE Connectivity 1210（3225 公制） RCPT FASTON .110 STR 20-18AWG
BSP315P L6327
FET - 單 Infineon Technologies TO-261-4，TO-261AA MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
B82422A3680K100
固定式 EPCOS Inc 1210（3225 公制） INDUCTOR .068UH 480MA 1210 10%
C1206C472M1RACTU
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 4700PF 100V 20% X7R 1206
B41044A2336M
電容器 EPCOS Inc 33UF 6.3V 5X11 SINGLE END
61500083862
其它 3M SURFACE BELT 1/2X42" A MED
C1210C183JBRACTU
陶瓷 Kemet 1210（3225 公制） CAP CER 0.018UF 630V 5% X7R 1210
6-1337580-0
同軸，RF TE Connectivity 1210（3225 公制） CONN PLUG STR MCX 50OHM
606105-1
配件 TE Connectivity 1210（3225 公制） RIBBON CUTTER BLADE REPLACEMENT
B41044A3227M
電容器 EPCOS Inc 220UF 10V 6.3X11 SINGLE END
C1206C472M5RACTU
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 4700PF 50V 20% X7R 1206
C1210C184Z5UACTU
陶瓷 Kemet 1210（3225 公制） CAP CER 0.18UF 50V Z5U 1210
61500083920
其它 3M 1210（3225 公制） HIGH STRENGTH DISC TR 2" A VFN
606105-1
配件 TE Connectivity 1210（3225 公制） RIBBON CUTTER BLADE REPLACEMENT
6-1337580-0
同軸，RF TE Connectivity 1210（3225 公制） CONN PLUG STR MCX 50OHM

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