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BSP316P L6327詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 680MA SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：680mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 歐姆 @ 680mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 170µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.4nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：146pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應商設備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：剪切帶 (CT)

BSP316P L6327詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 680MA SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：680mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 歐姆 @ 680mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 170µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.4nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：146pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應商設備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：帶卷 (TR)

BSP316P L6327詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 680MA SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：680mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 歐姆 @ 680mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 170µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.4nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：146pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應商設備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：Digi-Reel®

BSP316PE6327詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：680mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 歐姆 @ 680mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 170µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.4nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：146pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應商設備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：剪切帶 (CT)

BSP316PE6327詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：680mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 歐姆 @ 680mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 170µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.4nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：146pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應商設備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：帶卷 (TR)

BSP316PE6327T詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：680mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 歐姆 @ 680mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 170µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.4nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：146pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應商設備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：剪切帶 (CT)

B76006X1579M070
鉭 Kemet 2917（7343 公制） CAP TANT 150UF 6.3V 20% 2917
4610X-101-123LF
網絡、陣列 Bourns Inc. 10-SIP RES ARRAY 12K OHM 9 RES 10-SIP
BSP316PE6327
FET - 單 Infineon Technologies TO-261-4，TO-261AA MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223
AMM36DRSS
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions TO-261-4，TO-261AA CONN EDGECARD 72POS DIP .156 SLD
AT206H
配件 NKK Switches TO-261-4，TO-261AA SW CAP .945" BEZEL GRAY
AFD58-16-8PY-6140
圓形 - 外殼 TE Connectivity TO-261-4，TO-261AA CONN HSG RCPT FLANGE 8POS PIN
AML51-G10WB
配件 Honeywell Sensing and Control TO-261-4，TO-261AA BUTTON FOR SWES AND INDICATORS
4612X-104-471/152L
網絡、陣列 Bourns Inc. 12-SIP RES NET MULT OHM 20 RES 12-SIP
B76010D1579M055
鉭 Kemet 2917（7343 公制） CAP TANT 150UF 10V 20% 2917
AMM36DRTI-S13
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions TO-261-4，TO-261AA CONN EDGECARD 72POS DIP .156 SLD
AT207A
配件 NKK Switches TO-261-4，TO-261AA BEZEL BLACK FOR EB/MB24 SERIES
AML51-G10WB
配件 Honeywell Sensing and Control TO-261-4，TO-261AA BUTTON FOR SWES AND INDICATORS
4613-24-2
測試引線 - 跳線，專用型 Pomona Electronics TO-261-4，TO-261AA MICROGRABBER/PATCH CORD 24" RED
B76010D1579M055
鉭 Kemet 2917（7343 公制） CAP TANT 150UF 10V 20% 2917
AFD58-16-8PY-6141
圓形 - 外殼 TE Connectivity 2917（7343 公制） CONN HSG RCPT FLANGE 8POS PIN

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