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BSS138LT1詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：50V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：200mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.5 歐姆 @ 200mA，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：50pF @ 25V; 功率_最大：225mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：剪切帶 (CT)

BSS138LT1G詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：50V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：200mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.5 歐姆 @ 200mA，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：50pF @ 25V; 功率_最大：225mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：帶卷 (TR)

BSS138LT1G詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：50V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：200mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.5 歐姆 @ 200mA，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：50pF @ 25V; 功率_最大：225mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：剪切帶 (CT)

BSS138LT1G詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：50V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：200mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.5 歐姆 @ 200mA，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：50pF @ 25V; 功率_最大：225mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：Digi-Reel®

BSS138LT3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：50V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：200mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.5 歐姆 @ 200mA，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：50pF @ 25V; 功率_最大：225mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：帶卷 (TR)

BSS138LT3G詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：50V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：200mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.5 歐姆 @ 200mA，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：50pF @ 25V; 功率_最大：225mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：帶卷 (TR)

60805-1
配件 TE Connectivity 1210（3225 公制） FLOR TUBE SOK TERM 20-16
6141234
配件 Cherry 1210（3225 公制） ACTUATOR STNDRD STRGHT LD SUFFIX
B82432T1333K
固定式 EPCOS Inc 1812（4532 公制） INDUCTOR 33UH 400MA 1812 10%
BSS138DW-7
FET - 陣列 Diodes Inc 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 MOSFET DUAL N-CHAN 50V SC70-6
ATMEGA88V-10MUR
嵌入式 - 微控制器， Atmel 32-VFQFN 裸露焊盤 MCU AVR 8K FLASH 10MHZ 32QFN
B41252A5688M
電容器 EPCOS Inc 6800UF 25V 22X30 SNAP IN
AVT160-100-10%
可調功率電阻 Vishay Huntington Electric Inc. 圓柱形，管件 POWER RES 100 OHM 175W 10% ADJ
C1210C272F1GACTU
陶瓷 Kemet 1210（3225 公制） CAP CER 2700PF 100V 1% NP0 1210
6141237
配件 Cherry ACTUATOR SIM ROLLER SB SUFFIX
B82432T1393K
固定式 EPCOS Inc 1812（4532 公制） INDUCTOR 39UH 380MA 1812 10%
B41252A6278M
電容器 EPCOS Inc 2700UF 50V 22X30 SNAP IN
ATMEGA88V-10PJ
嵌入式 - 微控制器， Atmel 28-DIP（0.300"，7.62mm） IC MCU AVR 8K 5V 10MHZ 28-DIP
C1210C272J2GACTU
陶瓷 Kemet 1210（3225 公制） CAP CER 2700PF 200V 5% NP0 1210
AVT200-2-10%
可調功率電阻 Vishay Huntington Electric Inc. 圓柱形，管件 RESISTOR POWER ADJ 2.0 OHM 225W
6141237
配件 Cherry 圓柱形，管件 ACTUATOR SIM ROLLER SB SUFFIX

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