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BST82 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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BST82,215詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 100V 190MA SOT-23
系列:TrenchMOS™
制造商:NXP Semiconductors
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:190mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 歐姆 @ 150mA,5V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
輸入電容333Ciss4440a0Vds:40pF @ 10V
功率_最大:830mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:TO-236AB
包裝:Digi-Reel®

BST82,215詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 100V 190MA SOT-23
系列:TrenchMOS™
制造商:NXP Semiconductors
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:190mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 歐姆 @ 150mA,5V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
輸入電容333Ciss4440a0Vds:40pF @ 10V
功率_最大:830mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:TO-236AB
包裝:剪切帶 (CT)

BST82,215詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 100V 190MA SOT-23
系列:TrenchMOS™
制造商:NXP Semiconductors
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:190mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 歐姆 @ 150mA,5V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
輸入電容333Ciss4440a0Vds:40pF @ 10V
功率_最大:830mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:TO-236AB
包裝:帶卷 (TR)

BST82,215詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 100V 190MA SOT-23
系列:TrenchMOS™
制造商:NXP Semiconductors
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:190mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 歐姆 @ 150mA,5V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
輸入電容333Ciss4440a0Vds:40pF @ 10V
功率_最大:830mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:TO-236AB
包裝:帶卷 (TR)

BST82,235詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 100V 190MA SOT-23
系列:TrenchMOS™
制造商:NXP Semiconductors
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:190mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 歐姆 @ 150mA,5V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
輸入電容333Ciss4440a0Vds:40pF @ 10V
功率_最大:830mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:TO-236AB
包裝:帶卷 (TR)

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