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BTS 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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BTS110詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 100V 10A TO-220
系列:TEMPFET®
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:10A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:200 毫歐 @ 5A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
輸入電容333Ciss4440a0Vds:600pF @ 25V
功率_最大:40W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應商設備封裝:TO-220AB
包裝:管件

BTS110 E3045A詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 100V 10A TO-220
系列:TEMPFET®
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:10A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:200 毫歐 @ 5A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
輸入電容333Ciss4440a0Vds:600pF @ 25V
功率_最大:40W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝:TO-220AB
包裝:帶卷 (TR)

BTS113A詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB
系列:TEMPFET®
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:11.5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:170 毫歐 @ 5.8A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
輸入電容333Ciss4440a0Vds:560pF @ 25V
功率_最大:40W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應商設備封裝:P-TO220AB
包裝:管件

BTS113A E3045A詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB
系列:TEMPFET®
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:11.5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:170 毫歐 @ 5.8A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
輸入電容333Ciss4440a0Vds:560pF @ 25V
功率_最大:40W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝:TO-220AB
包裝:帶卷 (TR)

BTS113A E3064詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB
系列:TEMPFET®
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:11.5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:170 毫歐 @ 5.8A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
輸入電容333Ciss4440a0Vds:560pF @ 25V
功率_最大:40W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應商設備封裝:P-TO220AB
包裝:管件

BTS115A詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 50V 15.5A TO-220AB
系列:TEMPFET®
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:50V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:15.5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:120 毫歐 @ 7.8A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
輸入電容333Ciss4440a0Vds:735pF @ 25V
功率_最大:50W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應商設備封裝:P-TO220AB
包裝:管件

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