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BUJ103A 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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BUJ103A,127詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN 400V 4A TO220AB
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):4A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):400V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1V @ 600mA,3A
電流_集電極截止(最大):100µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:13 @ 500mA,5V
功率_最大:80W
頻率_轉換:-
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應商設備封裝:TO-220AB
包裝:管件

BUJ103AD,118詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN 400V 4A DPAK
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):4A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):400V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1V @ 600mA,3A
電流_集電極截止(最大):100µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:13 @ 500mA,5V
功率_最大:80W
頻率_轉換:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:D-Pak
包裝:帶卷 (TR)

BUJ103AX,127詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN 400V 4A TO-220F
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):4A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):400V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1V @ 600mA,3A
電流_集電極截止(最大):100µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:12 @ 500mA,5V
功率_最大:26W
頻率_轉換:-
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3 隔離片
供應商設備封裝:TO-220-3
包裝:管件

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