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BUK9620-100A,118詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 63A D2PAK; 系列：TrenchMOS™; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：63A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：19 毫歐 @ 25A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：6385pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

BUK9620-100B,118詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH TRENCH 100V D2PAK; 系列：TrenchMOS™; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：63A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18.5 毫歐 @ 25A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：53.4nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5657pF @ 25V; 功率_最大：203W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

BUK9620-100B,118詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH TRENCH 100V D2PAK; 系列：TrenchMOS™; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：63A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18.5 毫歐 @ 25A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：53.4nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5657pF @ 25V; 功率_最大：203W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

BUK9620-100B,118詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH TRENCH 100V D2PAK; 系列：TrenchMOS™; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：63A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18.5 毫歐 @ 25A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：53.4nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5657pF @ 25V; 功率_最大：203W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

BUK9620-55A,118詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 54A D2PAK; 系列：*; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：*; FET特點：*; 漏極至源極電壓333Vdss444：*; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：*; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：*; Id時的Vgs333th444（最大）：*; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：*; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：*; 功率_最大：*; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

BUK9620-55A,118詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 54A D2PAK; 系列：TrenchMOS™; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：54A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫歐 @ 25A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2210pF @ 25V; 功率_最大：118W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

B82804A0304A225
專用 EPCOS Inc DO-204AC，DO-15，軸向 TRANSF GATE DRIVE 300UH SMD
744042680
固定式 Wurth Electronics Inc 1919（4848 公制） INDUCTOR POWER 68UH 500MA SMD
BUK961R4-30E,118
FET - 單 NXP Semiconductors TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
C0402C0G1C7R5B
陶瓷 TDK Corporation 01005（0402 公制） CAP CER 7.5PF 16V NP0 01005
B43501A3337M67
電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 330UF 385V
BZW04-31BHE3/73
TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-204AL，DO-41，軸向 TVS 400W 31V 5% BIDIR DO-204AL
BZX84C43-7-F
單二極管/齊納 Diodes Inc TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE ZENER 43V 350MW SOT23-3
B78148S1274J
固定式 EPCOS Inc HF-CHOKE BC 270UH 5%
B82804A0324A220
專用 EPCOS Inc TRANSF GATE DRIVE 317UH SMD
C0402C0G1C7R5D
陶瓷 TDK Corporation 01005（0402 公制） CAP CER 7.5PF 16V NP0 01005
B43501A337M2
電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 330UF 420V
BZX84C43LT1G
單二極管/齊納 ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE ZENER 43V 225MW SOT-23
BZW04-342-E3/73
TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-204AL，DO-41，軸向 TVS 400W 342V 5% UNIDIR DO-204AL
B78148S1333J
固定式 EPCOS Inc HF-CHOKE BC 33.0UH 5%
B82804A0324A220
專用 EPCOS Inc TRANSF GATE DRIVE 317UH SMD

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