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BUL45 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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BUL45詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN 5A 400V 75W TO220AB
系列:SWITCHMODE™
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):5A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):400V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):400mV @ 400mA,2A
電流_集電極截止(最大):100µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:14 @ 300mA,5V
功率_最大:75W
頻率_轉換:12MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應商設備封裝:TO-220AB
包裝:管件

BUL45D2詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN 5A 700V 75W TO220AB
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):5A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):400V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 400mA,2A
電流_集電極截止(最大):100µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:10 @ 2A,1V
功率_最大:75W
頻率_轉換:13MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應商設備封裝:TO-220AB
包裝:管件

BUL45D2G詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN 400V 5A TO-220AB
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):5A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):400V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 400mA,2A
電流_集電極截止(最大):100µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:10 @ 2A,1V
功率_最大:75W
頻率_轉換:13MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應商設備封裝:TO-220AB
包裝:管件

BUL45G詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN 5A 400V 75W TO220AB
系列:SWITCHMODE™
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):5A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):400V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):400mV @ 400mA,2A
電流_集電極截止(最大):100µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:14 @ 300mA,5V
功率_最大:75W
頻率_轉換:12MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應商設備封裝:TO-220AB
包裝:管件

BUL45供應商

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