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CA3083M 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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CA3083M96詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列
描述:TRANSISTOR ARRAY NPN 16-SOIC
系列:-
制造商:Intersil
晶體管類型:5 NPN
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):15V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):700mV @ 5mA,50mA
電流_集電極截止(最大):10µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:40 @ 50mA,3V
功率_最大:500mW
頻率_轉換:450MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:16-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:16-SOIC
包裝:帶卷 (TR)

CA3083MZ詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列
描述:IC TRANSISTOR ARRAY NPN 16-SOIC
系列:-
制造商:Intersil
晶體管類型:5 NPN
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):15V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):700mV @ 5mA,50mA
電流_集電極截止(最大):10µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:40 @ 50mA,3V
功率_最大:500mW
頻率_轉換:450MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:16-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:16-SOIC
包裝:管件

CA3083MZ96詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列
描述:TRANSISTOR ARRAY NPN 16-SOIC
系列:-
制造商:Intersil
晶體管類型:5 NPN
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):15V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):700mV @ 5mA,50mA
電流_集電極截止(最大):10µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:40 @ 50mA,3V
功率_最大:500mW
頻率_轉換:450MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:16-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:16-SOIC
包裝:帶卷 (TR)

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