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CSD16323Q3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 3.3X3.3 8-SON; 系列：NexFET™; 制造商：Texas Instruments; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：60A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫歐 @ 24A，8V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.4nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 12.5V; 功率_最大：3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TDFN 裸露焊盤; 供應商設備封裝：8-SON; 包裝：剪切帶 (CT)

CSD16323Q3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 3.3X3.3 8-SON; 系列：NexFET™; 制造商：Texas Instruments; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：60A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫歐 @ 24A，8V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.4nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 12.5V; 功率_最大：3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TDFN 裸露焊盤; 供應商設備封裝：8-SON; 包裝：帶卷 (TR)

CSD16323Q3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 3.3X3.3 8-SON; 系列：NexFET™; 制造商：Texas Instruments; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：60A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫歐 @ 24A，8V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.4nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 12.5V; 功率_最大：3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TDFN 裸露焊盤; 供應商設備封裝：8-SON; 包裝：Digi-Reel®

CSD16323Q3C詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 60A 8SON; 系列：NexFET™; 制造商：Texas Instruments; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：60A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫歐 @ 24A，8V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.4nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 12.5V; 功率_最大：3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TDFN 裸露焊盤; 供應商設備封裝：8-SON 裸露焊盤（3x3）; 包裝：帶卷 (TR)

CSD16323Q3C詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 60A 8SON; 系列：NexFET™; 制造商：Texas Instruments; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：60A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫歐 @ 24A，8V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.4nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 12.5V; 功率_最大：3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TDFN 裸露焊盤; 供應商設備封裝：8-SON 裸露焊盤（3x3）; 包裝：剪切帶 (CT)

CSD16323Q3C詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 60A 8SON; 系列：NexFET™; 制造商：Texas Instruments; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：60A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫歐 @ 24A，8V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.4nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 12.5V; 功率_最大：3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TDFN 裸露焊盤; 供應商設備封裝：8-SON 裸露焊盤（3x3）; 包裝：Digi-Reel®

CSP4936LG1
支架 - 元件 Hammond Manufacturing PANEL SIDE 48.9X32.4X0.8" GREY
CY3250-LED16P01NQ-POD
配件 Cypress Semiconductor Corp REPLACEMENT POD
CSR0805FKR250
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 0805（2012 公制） RES 0.25 OHM 1/4W 1% 0805 SMD
CSCA0600A000B15B02
電流 Honeywell Sensing and Control HALL-EFF BASED OPEN-LOOP CURR
EBC60DCMT
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 120POS .100 WW
CTX50-1-R
陣列，信號變壓器 Cooper Bussmann 徑向 INDUCTOR TOROID DUAL 50.63UH SMD
DMS-30-CP
配件 Murata Power Solutions Inc 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） PANEL CUTOUT PUNCH FOR DMS-30/40
DMMT3906-7-F
晶體管(BJT) - 陣列 Diodes Inc SOT-23-6 TRANS SS BIPO PNP DUAL SOT-26
CSP-C10
配件 OKI/Metcal COMP DUMMY BGA FOR BGAK3 KIT(10)
CSR0805FKR300
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 0805（2012 公制） RES 0.3 OHM 1/4W 1% 0805 SMD
CTX50-2-52LP-R
固定式 Cooper Bussmann 徑向 INDUCTOR TOROID PWR 50UH HORZ
EBC60DCSD
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 120PS DIP .100 SLD
DMS-30-CP
配件 Murata Power Solutions Inc 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） PANEL CUTOUT PUNCH FOR DMS-30/40
DMMT3906-TP
晶體管(BJT) - 陣列 Micro Commercial Co 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 TRANSISTOR PNP 200MA 40V SOT363
CSP-C10
配件 OKI/Metcal COMP DUMMY BGA FOR BGAK3 KIT(10)

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