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DDA114TU-7 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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DDA114TU-7詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
描述:TRANS PREBIASED DUAL PNP SOT-363
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:2 個 PNP 預偏壓式(雙)
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
電阻器_基極333R1444(歐):10k
電阻器_發射極333R2444(歐):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 1mA,5V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 100µA,1mA
電流_集電極截止(最大):-
頻率_轉換:250MHz
功率_最大:200mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供應商設備封裝:SOT-363
包裝:剪切帶 (CT)

DDA114TU-7詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
描述:TRANS PREBIASED DUAL PNP SOT-363
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:2 個 PNP 預偏壓式(雙)
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
電阻器_基極333R1444(歐):10k
電阻器_發射極333R2444(歐):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 1mA,5V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 100µA,1mA
電流_集電極截止(最大):-
頻率_轉換:250MHz
功率_最大:200mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供應商設備封裝:SOT-363
包裝:帶卷 (TR)

DDA114TU-7-F詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
描述:TRANS PREBIASED DUAL PNP SOT363
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:2 個 PNP 預偏壓式(雙)
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
電阻器_基極333R1444(歐):10k
電阻器_發射極333R2444(歐):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 1mA,5V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 100µA,1mA
電流_集電極截止(最大):-
頻率_轉換:250MHz
功率_最大:200mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供應商設備封裝:SOT-363
包裝:帶卷 (TR)

DDA114TU-7-F詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
描述:TRANS PREBIASED DUAL PNP SOT363
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:2 個 PNP 預偏壓式(雙)
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
電阻器_基極333R1444(歐):10k
電阻器_發射極333R2444(歐):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 1mA,5V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 100µA,1mA
電流_集電極截止(最大):-
頻率_轉換:250MHz
功率_最大:200mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供應商設備封裝:SOT-363
包裝:Digi-Reel®

DDA114TU-7-F詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
描述:TRANS PREBIASED DUAL PNP SOT363
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:2 個 PNP 預偏壓式(雙)
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
電阻器_基極333R1444(歐):10k
電阻器_發射極333R2444(歐):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 1mA,5V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 100µA,1mA
電流_集電極截止(最大):-
頻率_轉換:250MHz
功率_最大:200mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供應商設備封裝:SOT-363
包裝:剪切帶 (CT)

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