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DTC114E 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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DTC114EBT2L詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
描述:TRAN DIGITAL NPN 50V 100MA VMN3
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶體管類型:NPN - 預偏壓
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
電阻器_基極333R1444(歐):10k
電阻器_發射極333R2444(歐):10k
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:30 @ 5mA,5V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA
電流_集電極截止(最大):500nA
頻率_轉換:250MHz
功率_最大:150mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-723
供應商設備封裝:VMT3
包裝:帶卷 (TR)

DTC114ECAT116詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
描述:TRANS NPN 50V 100MA DGTL SST3
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶體管類型:NPN - 預偏壓
電流_集電極333Ic444(最大):50mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
電阻器_基極333R1444(歐):10k
電阻器_發射極333R2444(歐):10k
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:30 @ 5mA,5V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA
電流_集電極截止(最大):500nA
頻率_轉換:250MHz
功率_最大:200mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:SST3
包裝:剪切帶 (CT)

DTC114ECAT116詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
描述:TRANS NPN 50V 100MA DGTL SST3
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶體管類型:NPN - 預偏壓
電流_集電極333Ic444(最大):50mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
電阻器_基極333R1444(歐):10k
電阻器_發射極333R2444(歐):10k
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:30 @ 5mA,5V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA
電流_集電極截止(最大):500nA
頻率_轉換:250MHz
功率_最大:200mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:SST3
包裝:Digi-Reel®

DTC114ECAT116詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
描述:TRANS DGTL NPN 100MA 50V SST3
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶體管類型:NPN - 預偏壓
電流_集電極333Ic444(最大):50mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
電阻器_基極333R1444(歐):10k
電阻器_發射極333R2444(歐):10k
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:30 @ 5mA,5V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA
電流_集電極截止(最大):500nA
頻率_轉換:250MHz
功率_最大:200mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:SST3
包裝:帶卷 (TR)

DTC114ECA-TP詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
描述:TRANS PREBIASED NPN 200MW SOT-23
系列:-
制造商:Micro Commercial Co
晶體管類型:NPN - 預偏壓
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
電阻器_基極333R1444(歐):10k
電阻器_發射極333R2444(歐):10k
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:30 @ 5mA,5V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA
電流_集電極截止(最大):500nA
頻率_轉換:250MHz
功率_最大:200mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:SOT-23
包裝:帶卷 (TR)

DTC114EEBTL詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
描述:TRANS NPN 50V 100MA DGTL EMT3
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶體管類型:NPN - 預偏壓
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
電阻器_基極333R1444(歐):10k
電阻器_發射極333R2444(歐):10k
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:30 @ 5mA,5V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA
電流_集電極截止(最大):500nA
頻率_轉換:250MHz
功率_最大:150mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-75,SOT-416
供應商設備封裝:EMT3
包裝:剪切帶 (CT)

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