DTC115EET1詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
- 描述:TRANS NPN BIAS RES 50V SC75-3
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:NPN - 預偏壓
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):100k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):100k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:80 @ 5mA,10V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:200mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SC-75,SOT-416
- 供應商設備封裝:SC-75,SOT-416
- 包裝:帶卷 (TR)
DTC115EET1G詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
- 描述:TRANS NPN BIAS RES 50V SC-75
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:NPN - 預偏壓
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):100k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):100k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:80 @ 5mA,10V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:200mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SC-75,SOT-416
- 供應商設備封裝:SC-75,SOT-416
- 包裝:剪切帶 (CT)
DTC115EET1G詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
- 描述:TRANS NPN BIAS RES 50V SC75-3
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:NPN - 預偏壓
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):100k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):100k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:80 @ 5mA,10V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:200mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SC-75,SOT-416
- 供應商設備封裝:SC-75,SOT-416
- 包裝:帶卷 (TR)
DTC115EETL詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
- 描述:TRANS NPN 50V 20MA SOT-416
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 晶體管類型:NPN - 預偏壓
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):100k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):100k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:82 @ 5mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 250µA,5mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:250MHz
- 功率_最大:150mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SC-75,SOT-416
- 供應商設備封裝:EMT3
- 包裝:剪切帶 (CT)
DTC115EETL詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
- 描述:TRANS NPN 50V 20MA SOT-416
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 晶體管類型:NPN - 預偏壓
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):100k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):100k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:82 @ 5mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 250µA,5mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:250MHz
- 功率_最大:150mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SC-75,SOT-416
- 供應商設備封裝:EMT3
- 包裝:帶卷 (TR)
DTC115EETL詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
- 描述:TRANS NPN 50V 20MA SOT-416
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 晶體管類型:NPN - 預偏壓
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):100k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):100k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:82 @ 5mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 250µA,5mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:250MHz
- 功率_最大:150mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SC-75,SOT-416
- 供應商設備封裝:EMT3
- 包裝:Digi-Reel®
- 陶瓷 Murata Electronics North America 1206(3216 公制) CAP CER 1UF 16V Y5V 1206
- 信號,高達 2 A TE Connectivity RELAY TELECOM DPDT 2A 12V
- 接口 - 串行器,解串行器 Texas Instruments 48-TQFP IC SERIALIZER 40MHZ 24BIT 48TQFP
- 邏輯 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 208-BGA IC FIFO DDR/SDR 6-7NS 208-BGA
- 時鐘/計時 - 延遲線 Maxim Integrated 16-SOIC(0.295",7.50mm 寬) IC DELAY LINE 10TAP 16-SOIC
- 陶瓷 Murata Electronics North America 1206(3216 公制) CAP CER 0.1UF 16V 20% X7R 1206
- 陶瓷 Murata Electronics North America 1206(3216 公制) CAP CER 1UF 16V Y5V 1206
- 信號,高達 2 A TE Connectivity RELAY TELECOM DPDT 2A 4.5V
- 邏輯 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 208-BGA IC FIFO DDR/SDR 4NS 208-BGA
- 邏輯 - 信號開關,多路復用器,解碼器 IDT, Integrated Device Technology Inc 16-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) IC MUX/DEMUX SW DUAL 4:1 16TSSOP
- 時鐘/計時 - 延遲線 Maxim Integrated 16-SOIC(0.295",7.50mm 寬) IC DELAY LINE 10TAP 16-SOIC
- 陶瓷 Murata Electronics North America 1206(3216 公制) CAP CER 0.68UF 16V 20% X7R 1206
- 陶瓷 Murata Electronics North America 1206(3216 公制) CAP CER 0.47UF 16V Y5V 1206
- 晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式 Rohm Semiconductor SC-74,SOT-457 TRANS DUAL PNP 50V 100MA SOT-457
- 邏輯 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 208-BGA IC FIFO DDR/SDR 6-7NS 208-BGA
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