DTC143EM3T5G詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
- 描述:TRANS NPN 50V 4.7/4.7K SOT-723
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:NPN - 預偏壓
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):4.7k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):4.7k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:15 @ 5mA,10V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 1mA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:250MHz
- 功率_最大:260mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT-723
- 供應商設備封裝:SOT-723
- 包裝:帶卷 (TR)
DTC143EM3T5G詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
- 描述:TRANS NPN 50V 4.7/4.7K SOT-723
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:NPN - 預偏壓
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):4.7k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):4.7k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:15 @ 5mA,10V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 1mA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:250MHz
- 功率_最大:260mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT-723
- 供應商設備封裝:SOT-723
- 包裝:剪切帶 (CT)
DTC143EMT2L詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
- 描述:TRANS NPN 50V 100MA VMT3
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 晶體管類型:NPN - 預偏壓
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):4.7k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):4.7k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:30 @ 10mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 頻率_轉換:250MHz
- 功率_最大:150mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT-723
- 供應商設備封裝:VMT3
- 包裝:剪切帶 (CT)
DTC143EMT2L詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
- 描述:TRANS NPN 50V 100MA VMT3
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 晶體管類型:NPN - 預偏壓
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):4.7k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):4.7k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:30 @ 10mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 頻率_轉換:250MHz
- 功率_最大:150mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT-723
- 供應商設備封裝:VMT3
- 包裝:Digi-Reel®
DTC143EMT2L詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
- 描述:TRANS NPN 50V 100MA VMT3
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 晶體管類型:NPN - 預偏壓
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):4.7k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):4.7k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:30 @ 10mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 頻率_轉換:250MHz
- 功率_最大:150mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT-723
- 供應商設備封裝:VMT3
- 包裝:帶卷 (TR)
- 邏輯 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 64-LQFP IC FIFO SS 512X9 15NS 64QFP
- 電容器 Nichicon 徑向,Can - 卡入式 CAP ALUM 390UF 450V 20% SNAP
- 晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 ON Semiconductor SOT-723 TRANS NPN 50V 4.7/4.7K SOT-723
- 固定式 Vishay Dale 0805(2012 公制) INDUCTOR WW 470NH 5% 0805
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603(1608 公制)寬(長側)0306(0816 公制) CAP CER 10000PF 25V 20% X7R 0306
- 陶瓷 Murata Electronics North America 1206(3216 公制) CAP CER 1UF 16V 20% X7R 1206
- 晶體管(BJT) - 單路 Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products TO-243AA TRANS PNP 20V 4A MINIP3
- 時鐘/計時 - 延遲線 Maxim Integrated 16-SOIC(0.295",7.50mm 寬) IC DELAY LINE 16TAP 16-SOIC
- 邏輯 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 64-LQFP IC FIFO SYNC 3.3V 15NS 64-TQFP
- 固定式 Vishay Dale 0805(2012 公制) INDUCTOR WW 560NH 5% 0805
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603(1608 公制)寬(長側)0306(0816 公制) CAP CER 0.015UF 25V 20% X7R 0306
- 單二極管/整流器 IXYS DO-203AB,DO-5,接線柱 DIODE ANODE 1200V 110A DO-203AB
- 邏輯 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 32-LQFP IC FIFO SYNC 512X9 10NS 32-TQFP
- 時鐘/計時 - 專用 Maxim Integrated 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC PWM 5BIT 1KHZ 2-WIRE 8SOIC
- 陶瓷 Murata Electronics North America 1206(3216 公制) CAP CER 0.56UF 16V 10% X7R 1206
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