EMB10T2R詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS DUAL PNP 50V 100MA EMT6
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 晶體管類型:2 個 PNP 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):2.2k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):47k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:80 @ 10mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 250µA,5mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:250MHz
- 功率_最大:150mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
- 供應商設備封裝:EMT6
- 包裝:帶卷 (TR)
EMB10T2R詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS DUAL PNP 50V 100MA EMT6
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 晶體管類型:2 個 PNP 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):2.2k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):47k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:80 @ 10mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 250µA,5mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:250MHz
- 功率_最大:150mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
- 供應商設備封裝:EMT6
- 包裝:Digi-Reel®
EMB10T2R詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS DUAL PNP 50V 100MA EMT6
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 晶體管類型:2 個 PNP 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):2.2k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):47k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:80 @ 10mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 250µA,5mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:250MHz
- 功率_最大:150mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
- 供應商設備封裝:EMT6
- 包裝:剪切帶 (CT)
EMB11T2R詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS DUAL PNP 50V 50MA EMT6
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 晶體管類型:2 個 PNP 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):10k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):10k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:30 @ 5mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:250MHz
- 功率_最大:150mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
- 供應商設備封裝:EMT6
- 包裝:帶卷 (TR)
EMB11T2R詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS DUAL PNP 50V 50MA EMT6
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 晶體管類型:2 個 PNP 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):10k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):10k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:30 @ 5mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:250MHz
- 功率_最大:150mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
- 供應商設備封裝:EMT6
- 包裝:Digi-Reel®
EMB11T2R詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS DUAL PNP 50V 50MA EMT6
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 晶體管類型:2 個 PNP 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):10k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):10k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:30 @ 5mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:250MHz
- 功率_最大:150mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
- 供應商設備封裝:EMT6
- 包裝:剪切帶 (CT)
- 固定式 AVX Corporation 0805(2012 公制) INDUCTOR THIN FILM 1.8NH 0805
- 顯示器模塊 - LCD,OLED 字符和數字 Lumex Opto/Components Inc LCD MODULE 16X2 CHAR TRNSFL TN
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 100PS R/A .125 SLD
- 保險絲 - 電氣,特制 Littelfuse Inc 矩形,插片 FUSE SEMICONDUCTOR 1000A 700VAC
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 6-TSSOP(5 引線),SC-88A,SOT-353 IC OPAMP 270MHZ SINGLE SC70-5
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Linear Technology 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬)裸露焊盤 IC REG LDO 2.5V 1.1A 8-MSOP
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 270 OHM 1/4W 5% 1206 SMD
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 30POS DIP .156 SLD
- 顯示器模塊 - LCD,OLED 字符和數字 Lumex Opto/Components Inc LCD MODULE 20X2 CHAR REFL TN
- 保險絲 - 電氣,特制 Littelfuse Inc 矩形,插片 FUSE SEMICONDUCTOR 700A 700VAC
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Linear Technology TO-263-6,D²Pak(5 引線+接片),TO-263BA IC REG LDO 2.5V 1.1A 5-DDPAK
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 30POS DIP .156 SLD
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments * IC OPAMP 270MHZ DUAL 8MSOP
- 固定式 AVX Corporation 0805(2012 公制) INDUCTOR THIN FILM 8.2NH 0805
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 2.7M OHM 1/4W 5% 1206 SMD
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